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KMM372F213CS Dataheets PDF



Part Number KMM372F213CS
Manufacturers Samsung Semiconductor
Logo Samsung Semiconductor
Description DRAM Module
Datasheet KMM372F213CS DatasheetKMM372F213CS Datasheet (PDF)

DRAM MODULE KMM372F213CK/CS EDO Mode 2M x 72 DRAM DIMM with ECC using 2Mx8, 2K Refresh, 3.3V GENERAL DESCRIPTION The Samsung KMM372F213C is a 2Mx72bits Dynamic RAM high density memory module. The Samsung KMM372F213C consists of nine CMOS 2Mx8bits DRAMs in SOJ/TSOP-II 300mil package, and two 16bits driver IC in 48pin TSSOP package mounted on a 168-pin glass-epoxy substrate. A 0.1 or 0.22uF decoupling capacitor is mounted on the printed circuit board for each DRAM. The KMM372F213C is a Dual In-lin.

  KMM372F213CS   KMM372F213CS



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DRAM MODULE KMM372F213CK/CS EDO Mode 2M x 72 DRAM DIMM with ECC using 2Mx8, 2K Refresh, 3.3V GENERAL DESCRIPTION The Samsung KMM372F213C is a 2Mx72bits Dynamic RAM high density memory module. The Samsung KMM372F213C consists of nine CMOS 2Mx8bits DRAMs in SOJ/TSOP-II 300mil package, and two 16bits driver IC in 48pin TSSOP package mounted on a 168-pin glass-epoxy substrate. A 0.1 or 0.22uF decoupling capacitor is mounted on the printed circuit board for each DRAM. The KMM372F213C is a Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 168-pin edge connector sockets. KMM372F213CK/CS FEATURES • Part Identification - KMM372F213CK (2048 cycles/32ms Ref., SOJ) - KMM372F213CS (2048 cycles/32ms Ref., TSOP) • Fast Page Mode with Extended Data Out Mode Operation • CAS-before-RAS Refresh capability • RAS-only and Hidden refresh capability • LVTTL compatible inputs and outputs • Single 3.3V±0.3V power supply • JEDEC standard pinout & Buffered PDpin • Buffered input except RAS and DQ PERFORMANCE RANGE Speed -5 -6 tRAC 50ns 60ns tCAC 18ns 20ns tRC 84ns 104ns tHPC 20ns 25ns • PCB : Height(1000mil), Single sided component PIN CONFIGURATIONS Pin Front Pin Front Pin Front Pin 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 VSS DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 VCC DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQ8 VSS DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 VCC DQ14 DQ15 DQ16 DQ17 VSS RSVD RSVD VCC W0 CAS0 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 RSVD RAS0 OE0 VSS A0 A2 A4 A6 A8 A10 *A12 VCC RFU RFU VSS OE2 RAS2 CAS4 RSVD W2 VCC RSVD RSVD DQ18 DQ19 VSS DQ20 DQ21 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 DQ22 DQ23 VCC DQ24 RFU RFU RFU RFU DQ25 DQ26 DQ27 VSS DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 VCC DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 VSS PD1 PD3 PD5 PD7 ID0 VCC 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 Back VSS DQ36 DQ37 DQ38 DQ39 VCC DQ40 DQ41 DQ42 DQ43 DQ44 VSS DQ45 DQ46 DQ47 DQ48 DQ49 VCC DQ50 DQ51 DQ52 DQ53 VSS RSVD RSVD VCC RFU *CAS1 Pin 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 Back RSVD *RAS1 RFU VSS A1 A3 A5 A7 A9 *A11 *A13 VCC RFU B0 VSS RFU *RAS3 *CAS5 RSVD PDE VCC RSVD RSVD DQ54 DQ55 VSS DQ56 DQ57 Pin Back 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 DQ58 DQ59 VCC DQ60 RFU RFU RFU RFU DQ61 DQ62 DQ63 VSS DQ64 DQ65 DQ66 DQ67 VCC DQ68 DQ69 DQ70 DQ71 VSS PD2 PD4 PD6 PD8 ID1 VCC PIN NAMES Pin Names A0, B0, A1 - A10 DQ0 - DQ71 W0, W2 OE, OE2 RAS0, RAS2 CAS0, CAS4 VCC VSS NC PDE PD1 - 8 ID0 - 1 RSVD RFU Function Address Input Data In/Out Read/Write Enable Output Enable Row Address Strobe Column Address Strobe Power(+3.3V) Ground No Connection Presence Detect Enable Presence Detect ID bit Reserved Use Reserved for Future Use Pins marked ′*′ are not used in this module. PD & ID Table Pin PD1 PD2 PD3 PD4 PD5 PD6 PD7 PD8 ID0 50NS 1 0 0 1 1 0 0 0 0 60NS 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 ID1 0 PD Note : PD & ID Terminals must each be pulled up through a resister to V CC at the next higher level assembly. PDs will be either open (NC) or driven to V SS via on-board buffer circuits. PD : 0 for Vol of Drive IC & 1 for N.C ID Note : IDs will be either open (NC) or connected directly to V SS without a buffer. ID : 0 for Vss & 1 for N.C DRAM MODULE FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM RAS0 CAS0 W0 OE0 A0 A1-A10 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 DQ20 DQ21 DQ22 DQ23 DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 DQ36 DQ37 DQ38 DQ39 Vcc 0.1 or 0.22uF Capacitor under each DRAM Vss To all DRAMs RAS2 CAS4 W2 OE2 B0 A1-A10 DQ40 DQ41 DQ42 DQ43 DQ44 DQ45 DQ46 DQ47 DQ48 DQ49 DQ50 DQ51 DQ52 DQ53 DQ54 DQ55 DQ56 DQ57 DQ58 DQ59 DQ60 DQ61 DQ62 DQ63 DQ64 DQ65 DQ66 DQ67 DQ68 DQ69 DQ70 DQ71 KMM372F213CK/CS DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DD5 DQ6 DQ7 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DD5 DQ6 DQ7 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DD5 DQ6 DQ7 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DD5 DQ6 DQ7 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DD5 DQ6 DQ7 U0 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DD5 DQ6 DQ7 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DD5 DQ6 DQ7 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DD5 DQ6 DQ7 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DD5 DQ6 DQ7 U5 U1 U6 U2 U7 U3 U8 U4 A0 B0 A1-An W0, 2 OE0, 2 U0-U4 U5-U8 A1-An : U0-U8 DRAM MODULE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS * Item Voltage on any pin relative VSS Voltage on VCC supply relative to VSS Storage Temperature Power Dissipation Short Circuit Output Current Symbol VIN, VOUT VCC Tstg PD IOS KMM372F213CK/CS Rating -0.5 to +4.6 -0.5 to +4.6 -55 to +125 9 50 Unit V V °C W mA * Permanent device damage may occur if ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS are exceeded. Functional operation should be restricted to the conditions as detailed in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions for intended periods may affect device reliability. RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (Voltage referenced to V SS, TA = 0 to 70°C) Item Supply Voltage Ground Input High Voltag.


KMM372F213CK KMM372F213CS KMM372F3200BK3


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