200GB60DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tc= 50°C Tc= 25°C Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP= 1ms, Tc= 50°C Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C, Transistor Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP= 1ms Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES IF IFRM I2t VISOL 600 200 230 400 730 +/- 20V 200 400 4.050 2,5 V A A A W V A A A2s kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 4,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj...