Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GB 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maxi...
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GB 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP= 1ms Tc= 60°C Tc= 25°C tP= 1ms, Tc= 60°C VCES IC,nom. IC ICRM 600 150 180 300 V A A A
Tc= 25°C,
Transistor
Ptot
595
W
VGES
+/- 20V
V
IF
150
A
IFRM
300
A
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
I2t
2.300
A2s
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor /
Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 125°C IC= 3,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VCE sat
min.
VGE(th) 4,5
typ.
1,95 2,20 5,5
max.
2,45 6,5 V V V
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0...