FP20R06KL4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier w w a D . w I2t - value Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage S a t e e h U 4 t m o .c FP20R06KL4 Vorläufig Preliminary Tvj =25°C TC =80°C TC =80°C tP = 10 ms, T vj = tP = 10 ms, T vj = 25°C 25°C VRRM IFRMSM IRMSmax IFSM 2 I t 800 V Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip RMS forward current per chip Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral 29 36 262 215 344 231 A A A tP = 10 ms, T vj = 150°C tP = 10 ms, T vj = 150°C Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral 2 I t - value tP = 1 ms Tvj =25°C TC = 65°C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C T c=65°C VCES IC,nom. IC 600 20 25 40 78 Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleich...