With Lvttl. GMM26416233ENTG Datasheet

GMM26416233ENTG Lvttl. Datasheet pdf. Equivalent

GMM26416233ENTG Datasheet
Recommendation GMM26416233ENTG Datasheet
Part GMM26416233ENTG
Description 16Mx64 Bits PC100/PC133 Sdram Unbuffered Dimm Based on 8Mx8 Sdram With Lvttl
Feature GMM26416233ENTG; 16Mx64 bits PC100/PC133 SDRAM Unbuffered DIMM based on 8Mx8 SDRAM with LVTTL, 4 banks & 4K Refresh .
Manufacture Hynix Semiconductor
Datasheet
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Hynix Semiconductor GMM26416233ENTG
16Mx64 bits
PC100/PC133 SDRAM Unbuffered DIMM
based on 8Mx8 SDRAM with LVTTL, 4 banks & 4K Refresh
GMM26416233ENTG
Description
The GMM26416233ENTG is a 16M x 64bits
Synchronous Dynamic RAM MODULE
which is assembled 16 pieces of 8M x 8bits
Synchronous DRAMs in 54 pin TSOP II
package and one 2048 bit EEPROM in 8pin
TSSOP package mounted on a 168 pin
printed circuit board with decoupling
capacitors. The GMM26416233ENTG is
optimized for application to the systems which
are required high density and large capacity
such as main memory of the computers and an
image memory systems, and to the others
which are requested compact size.
The GMM26416233ENTG provides common
data inputs and outputs.
GMM26416233ENTG (Double Side)
Features
* PC133/PC100/PC66 Compatible
-7(143MHz)/-75(133MHz)/-8(125MHz)
-7K(PC100,2-2-2)/-7J(PC100,3-2-2)
* 3.3V +/- 0.3V Power supply
* Maximum Clock frequency
100/125/133/143 MHz
* LVTTL Interface
* Burst read/write operation and burst read/
single write operation capability
* Programmable burst length ;
1, 2, 4, 8, Full page
* Programmable burst sequence
Sequential / Interleave
* Full Page burst length capability
Sequential burst
Burst stop capability
* Programmable CAS Latency ; 2, 3
CKE power down mode
* Input / Output data masking
* 4096 Refresh Cycles / 64ms
* Auto refresh / Self refresh Capability
* Serial Presence Detect with EEPROM
Pin Name
CK0, 1, 2, 3
CKE0,1
S0,1,2,3
RAS
CAS
WE
A0 ~ A11
BA0,1
DQ0 ~ 63
DQMB0 ~ 7
VCC
VSS
NC
VREF
SDA
SCL
SA0 ~ 2
DU
Clock input
Clock Enable
Chip Select
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Address input
Bank Address input
Data input / output
Data input / output Mask
Power for internal circuit
Ground for internal circuit
No Connect
Power Supply for Reference
Serial Data input/ output
Serial Clock
Address in EEPROM
Don't Use
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responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 1.1/Apr.01
www.DataSheet4U.com
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Hynix Semiconductor GMM26416233ENTG
GMM26416233ENTG
Pin Configuration
Pin Symbol Pin Symbol Pin Symbol Pin Symbol Pin Symbol Pin Symbol
1 VSS 29 DQMB1 57 DQ18 85 VSS 113 DQMB5 141 DQ50
2 DQ0 30 S0 58 DQ19 86 DQ32 114 S1 142 DQ51
3 DQ1 31 DU 59 VCC 87 DQ33 115 RAS 143 VCC
4 DQ2 32 VSS 60 DQ20 88 DQ34 116 VSS 144 DQ52
5 DQ3 33 A0 61 NC 89 DQ35 117 A1 145 NC
6 VCC 34 A2 62 *VREF, NC 90 VCC 118 A3 146 *VREF, NC
7 DQ4 35 A4 63 CKE1 91 DQ36 119 A5 147 NC
8 DQ5 36 A6 64 VSS 92 DQ37 120 A7 148 VSS
9 DQ6 37 A8 65 DQ21 93 DQ38 121 A9 149 DQ53
10 DQ7 38 A10/AP 66 DQ22 94 DQ39 122 BA0 150 DQ54
11 DQ8 39 BA1 67 DQ23 95 DQ40 123 A11 151 DQ55
12 VSS 40 VCC 68 VSS 96 VSS 124 VCC 152 VSS
13 DQ9 41 VCC 69 DQ24 97 DQ41 125 CK1 153 DQ56
14 DQ10 42 CK0 70 DQ25 98 DQ42 126 *A12 154 DQ57
15 DQ11 43 VSS 71 DQ26 99 DQ43 127 VSS 155 DQ58
16 DQ12 44 DU 72 DQ27 100 DQ44 128 CKE0 156 DQ59
17 DQ13 45 S2 73 VCC 101 DQ45 129 S3 157 VCC
18 VCC 46 DQMB2 74 DQ28 102 VCC 130 DQMB6 158 DQ60
19 DQ14 47 DQMB3 75 DQ29 103 DQ46 131 DQMB7 159 DQ61
20 DQ15 48 DU 76 DQ30 104 DQ47 132 *A13 160 DQ62
21 *CB0 49 VCC 77 DQ31 105 *CB4 133 VCC 161 DQ63
22 *CB1 50 NC 78 VSS 106 *CB5 134 NC 162 VSS
23 VSS 51 NC 79 CK2 107 VSS 135 NC 163 CK3
24 NC 52 *CB2 80 NC 108 NC 136 *CB6 164 NC
25 NC 53 *CB3 81 WP/NC 109 NC 137 *CB7 165 SA0
26 VCC 54 VSS 82 SDA 110 VCC 138 VSS 166 SA1
27 WE 55 DQ16 83 SCL 111 CAS 139 DQ48 167 SA2
28 DQMB0 56 DQ17 84 VCC 112 DQMB4 140 DQ49 168 VCC
* These pins are not used in this module
Rev. 1.1/Apr.01
-2-



Hynix Semiconductor GMM26416233ENTG
Block Diagram (-7K/-7J)
S1
S0
DQMB0
GMM26416233ENTG
DQMB4
DQMB1
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
S2
S3
DQMB2
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQMB3
DQ 16
DQ17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQ 24
DQ25
DQ26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
A0 ~ A11, BA0,1
RAS
CAS
CKE0
WE
VCC
VSS
Rev. 1.1/Apr.01
DQM CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3 U0
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQM CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3 U8
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
CS
U4
DQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
CS DQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
U12 DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQM CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
U1
DQM CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
U9
CS
U5
DQM
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
CS DQM
DQ 40
DQ 41
DQ 42
U13 DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQMB5
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ45
DQ 46
DQ 47
DQM CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3 U2
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQM CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3 U10
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
CS DQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
U6 DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
CS DQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
U14 DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB6
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ53
DQ 54
DQ 55
DQM CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
U3
DQM CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3 U11
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
CS
U7
DQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
CS DQM
DQ 0
DQ 1
U15 DQ 2
` DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB7
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
U0 - U15
CK0,1,2,3
10ohm
4 SDRAMS
U0 - U15
U0 - U15
3.3 pF
U0 - U7
U0 - U15
CKE1
U8 - U15
10kohm
Capacitor
one 0.33uF and 0ne 0.1uF per each SDRAM
U0 ~ U15
U0 ~ U15
SCL
Serial PD
WP
A0 A1 A2
SDA
Vss
47kohm
SA0 SA1 SA2
-3-







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