N-Channel MOSFET
www.DataSheet4U.com
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
N-Channel MOSFET
HFP75N08
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Low Vol...
Description
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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
N-Channel MOSFET
HFP75N08
¨€ ¨€ APPLICATIONSL
Low Voltage high-Speed Switching.
TO-220
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨
T stg ¡ ª ¡ ª Tj ¡ª PD ¡ª VDSS ¡ª VGSS ¡ ª ID ¡ª Storage Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Operating Junction Temperature ¡Allowable Power Dissipation £¨ Tc=25¡æ£© Drain-Source Voltage ¡- ¡- ¡Gate-Source Voltage ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Drain Current £¨ Tc=25¡æ£© ¡¡-
Ta=25¡æ£©
- 55~175¡æ 150¡æ 173W 80V
1¨D G 2¨D D 3¨D S
±20V
75A
¨€
ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨
Symbol Characteristics
Ta=25¡æ£©
Max Unit Test Conditions
BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd Is VSD
Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate –Source Leakage Current
Min Typ DataSheet4U.com
80
V 10 ¡À ¦Ì A nA V Ω pF pF pF nS nS nS nS
nC nC nC
ID=250¦Ì
A ,VGS=0V VGS=0
DataShee
VDS = 80V£¬
Gate Threshold Voltage Static Drain-Source On-Resistance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn - On Delay Time Rise Time
Turn - Off Delay Time
2.0 2600 940 210 30 225 165 155 80 15 32
100 4.0 3380 1220 275 70 460 340 320 105
VGS=¡À 20V , VDS =0V VDS = VGS , ID =250¦Ì A VGS=10V, ID =37.5A VDS =25V, VGS=0,f=1MHz
0.011 0.014
VDD =40V, ID =75A RG= 25 ¦¸ * VDS =48V VGS=10V ID=50A* IS =75A , VGS=0
Fall Time
Total Gate Charge Gate–Source Charge Gate–Drain Charge
Continuous Source Current
75 1.5 0.87
¡æ
A V
/W
Diode Forw...
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