BSM25GD120DLCE3224

www.DataSheet4U.com Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM25GD120DLCE3224 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms T C = 80 °C T C = 25 °C tP = 1 ms, T C = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1200 25 50 50 V A A A T C=25°C, Transistor Ptot 200 W VGES +/- 20V V IF 25 A IFRM 50 A VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C I2t 230 A2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 25A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 25A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 1mA, VCE = VGE, T vj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,1 2,4 5...