FZ1600R12KE3

www.DataSheet4U.com Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1600R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Tvj= 25°C Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Tc= 25°C;Transistor VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM 1200 1600 2300 3200 V A A A 7,8 kW +/- 20 V 1600 A 3200 A I²t 300 k A²s RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current IC= 1600A, VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= 1600A, VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= 64mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C, VGE= -15V...+1...