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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FF600R12KE3
vorläufige Daten preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Tvj= 25°C Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Tc= 25°C; Transistor VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM 1200 600 850 1200 V A A A
2,8
kW
+/- 20
V
600
A
1200
A
I²t
75
k A²s
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current IC= 600A, VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= 600A, VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= 24mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C, VGE= -15V...+15V; VCE=...V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 1200V VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C VCEsat VGE(th) QG Cies Cres ICES IGES min. 5 typ. 1,7 2 5,8 max. 2,15 t.b.d. 6,5 V V V
-
5,8
-
µC
-
43
-
nF
-
2
-
nF
-
-
5
mA
-
-
400
nA
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer approved: SM TM; Christoph Lübke
date of publication: 2002-07-30 revision: 2.0
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DB_FF600R12KE3_2.0.xls 2002-07-30
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FF600R12KE3
vorläufige Daten preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
IC= 600A, VCC= 600V Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load)
VGE=±15V, RGon=3,6W, T vj=25°C VGE=±15V, RGon=3,6W, T vj= 125°C
min. td,on tr
typ. 0,60 0,66
max. µs µs
IC= 600A, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load)
VGE=±15V, RGon=3,6W, T vj=25°C VGE=±15V, RGon=3,6W, T vj= 125°C
-
0,23 0,22
-
µs µs
IC= 600A, VCC= 600V Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load)
VGE=±15V, RGoff =1,2W, T vj=25°C VGE=±15V, RGoff =1,2W, T vj= 125°C
td,off
-
0,82 0,96
-
µs µs
IC= 600A, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulindiktivität stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25°C
VGE=±15V, RGoff =1,2W, T vj=25°C VGE=±15V, RGoff =1,2W, T vj= 125°C
tf
-
0,15 0,18 120
-
µs µs mJ
IC= 600A, VCC= 600V, Ls= 120nH
VGE=±15V, RGon=3,6W, T vj= 125°C
Eon Eoff ISC LsCE RCC´/EE´
-
IC= 600A, VCC= 600V, Ls= 120nH
VGE=±15V, RGoff =1,2W, T vj= 125°C
-
95
-
mJ
tP £ 10µs, VGE £ 15V, TVj £ 125°C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LsCE · çdi/dtç
-
2400
-
A
-
20
-
nH
-
0,18
-
mW
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°C IF=IC,nom, -diF/dt= 2400A/µs VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Sperrverzögerungsladung recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 2400A/µs VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=IC,nom, -diF/dt= 2400A/µs VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Erec 6 17 mJ mJ Qr 25 60 µC µC IRM 170 265 A A VF 2,0 1,8 2,5 V V
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DB_FF600R12KE3_2.0.xls 2002-07-30
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FF600R12KE3
vorläufige Daten preliminary data
Thermische Eigenschaften / thermal properties
min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor, DC, pro Modul / per module Transistor, DC, pro Zweig / per arm Diode/Diode, DC, pro Modul / per module Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm Übergangs Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature pro Modul / per module pro Zweig/ per arm; lPaste/lgrease =1W/m*K RthCK Tvj max Tvj op Tstg RthJC typ. 0,006 0,012 max. 0,022 0,044 0,040 0,080 150 K/W K/W K/W K/W K/W K/W °C
-40
-
125
°C
-40
-
125
°C
Mechanische.