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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP15R12KE3G
Vorläufige Dat...
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP15R12KE3G
Vorläufige Daten Preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Dauergleichstrom DC forward current Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value
2
VRRM I RMSmax TC = 80°C tP = 10 ms, Tvj = tP = 10 ms, Tvj = 25°C 25°C Id I FSM I t
2
1600 60 15 315 260 500 340
V A A A A As As
2 2
tP = 10 ms, Tvj = 150°C tP = 10 ms, Tvj = 150°C
Transistor Wechselrichter/
Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I 2t - value Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF I FRM I 2t 15 30 60 A A A2s Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C TC = 80 °C VCES I C,nom. IC I CRM Ptot VGES 1200 15 25 30 100 +/- 20V V A A A W V
Transistor Brems-Chopper/
Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung c...