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FS150R12KE3 Dataheets PDF



Part Number FS150R12KE3
Manufacturers eupec GmbH
Logo eupec GmbH
Description IGBT-Module
Datasheet FS150R12KE3 DatasheetFS150R12KE3 Datasheet (PDF)

www.DataSheet4U.com Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS150R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter.

  FS150R12KE3   FS150R12KE3



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www.DataSheet4U.com Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS150R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C VCES IC, nom IC ICRM 1200 150 200 300 V A A A Tc= 25°C Ptot 700 W VGES +/- 20 V IF 150 A IFRM 300 A VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I²t 4,56 kA²s RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 6mA VCEsat min. 5 typ. 1,7 2 5,8 max. 2,1 t.b.d. 6,5 V V V VGE(th) VGE= -15V...+15V QG - 1,4 - µC f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies 10,6 nF f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres 0,4 nF VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C ICES - - 5 mA VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA prepared by: Mark Münzer approved: Martin Hierholzer date of publication: 2001-08-16 revision: 3 1 (8) Datenblatt_FS150R12KE3_V3.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS150R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter IC= IC, nom, VCC= 600V Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulinduktivität stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25°C VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ= 70nH VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ= 70nH VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, Tvj ≤ 125°C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt Eon tf 65 90 16 ns ns mJ td,off 420 520 ns ns tr 30 45 ns ns td,on 260 285 ns ns min. typ. max. Eoff - 17 - mJ ISC - 600 - A LσCE - 21 - nH mΩ RCC´/EE´ - 1,8 - Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°C IF=IC,nom, -diF/dt= 4000A/µs VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C Sperrverzögerungsladung recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 4000A/µs VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=IC,nom, -diF/dt= 4000A/µs VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C Erec 7 13 mJ mJ Qr 17 30 µQ µQ IRM 190 210 A A VF 1,65 1,65 2,1 t.b.d. V V 2 (8) Datenblatt_FS150R12KE3_V3.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS150R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R100 deviation of R100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value Tc= 25°C Tc= 100°C, R100= 493Ω R25 ∆R/R min. typ. 5 max. kΩ -5 - 5 % Tc= 25°C P25 - - 20 mW R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 - 3375 - K Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance, juncton to case; DC Übergangs Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor Wechelr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter.


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