RDX050N50

www.DataSheet4U.com RDX050N50 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX050N50 Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm) ÌÑóîîðÚÓ ïðòð íòî ìòë îòè Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) Excellent resistance to damage from static electricity. øï÷Ù¿¬» ïòí ïòî ðòè îòëì øï÷ øî÷ øí÷ Applications Switching øî÷Ü®¿·² øí÷ͱ«®½» îòëì ðòéë îòê Packaging specifications п½µ¿¹» ̧°» ÎÜÈðëðÒëð ݱ¼» Þ¿-·½ ±®¼»®·²¹ «²·¬ ø°·»½»-÷ Þ«´µ – ëðð Inner circuit ï î øï÷ øî÷ øí÷ ï ÙßÌÛ ÐÎÑÌÛÝÌ×ÑÒ Ü×ÑÜÛ î ÞÑÜÇ Ü×ÑÜÛ øï÷ Ù¿¬» øî÷ Ü®¿·² øí÷ ͱ«®½» Absolute maximum ratings (Ta=25 C) п®¿³»¬»® Ü®¿·²ó-±«®½» ª±´¬¿¹» Ù¿¬»ó-±«®½» ª±´¬¿¹» Ü®¿·² ½«®®»²¬ ͱ«®½» ½«®®»²¬ øÞ±¼§ ¼·±¼»÷ ݱ²¬·²«±«Ð«´-»¼ ݱ²¬·²«±«Ð«´-»¼ ͧ³¾±´ ÊÜÍÍ Ê ÙÍÍ ×Ü ×ÜÐ ×Í ×ÍÐ ×ßÍ Û ßÍ ÐÜ Ì½¸ Ì-¬¹ Ô·³·¬ëðð oíð oë oîð ë îð ë ìê íë ïëð –ëë ¬± õïëð ˲·¬ Ê Ê ß ß ß ß ß ³Ö É pÝ pÝ ï î î í ì ߪ¿´¿²½¸» ½«®®»²¬ ߪ¿´¿²½¸» »²»®¹§ ̱¬¿´ °±©»® ¼·--·°¿¬·±² ø̽ãîëpÝ÷ ݸ¿²²»´ ¬»³°»®¿¬«®» ο²¹» ±º -¬±®¿¹» ¬»³°»®¿¬«®» ï Ô·³·¬»¼ ±²´§ ¾§ ³¿¨·³«³ ¬»³°»®¿¬«®» ¿´´±©»¼ î Щ ïðk -ô Ü«¬§ ½§½´» ïû í Ô ã íòî³Ø ÊÜÜãçðÊ Î¹ãîë ì Ô ã íòî³Ø ÊÜÜãçðÊ Î¹ãîë -¬¿®¬·²¹ ̽¸ãîëp Ý Thermal resistance п®¿³»¬»® ݸ¿²²»´ ¬± ½¿-» ͧ³¾±´ ά¸ø½¸ó½÷ Ô·³·¬íòëé ˲·¬ pÝñÉ 1/2 RDX050N50 Transistors Electrical characteristics (Ta=25 C) п®¿³»¬»® ͧ³¾±´ Ù¿¬»ó-±«®½» ´»¿µ¿¹» ×ÙÍÍ Ü®¿·²ó-±«®½» ¾®»¿µ¼±©² ª±´¬¿¹» ÊøÞÎ÷ ÜÍÍ Æ»®± ¹¿¬» ª±´¬¿¹» ¼®¿·² ½«®®»²¬ ×ÜÍÍ Ù¿¬» ¬¸®»-¸±´¼ ª±´¬¿¹» ÊÙÍ ø¬¸÷ ͬ¿¬·½ ¼®¿·²ó-±«®½» ±²ó-¬¿¬» ÎÜÍ ø±²÷ ®»-·-¬¿²...