RTL035N03

RTL035N03 　　Nch 30V 3.5A Small Signal MOSFET 　　 Datasheet VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 56mΩ ±3.5A 1.0W lFeatures 1) Low on - resistance 2) Space saving, small surface mount package 　　(TUMT6) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lOutline SOT-363T SC-113DA TUMT6 　 　　　　　　 lInner circuit 　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 180 lApplication Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 8 3000 Taping code TR Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) PM Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS 30 V Continuous drain current ID ±3.5 A Pulsed drain current IDP*1 ±14 A Gate - Source voltage VGSS ±12 V Power dissipation PD*2 1.0 W PD*3 0.91 W Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20180328 - Rev.002 　 　 RTL035N03 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*2 RthJA*3 Values Min. Typ. Max. - - 125 - - 137 Unit ℃/W ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA Breakdown voltage temperature coefficient 　ΔV(BR)D...