DatasheetsPDF.com

2N5884 Dataheets PDF



Part Number 2N5884
Manufacturers ON Semiconductor
Logo ON Semiconductor
Description (2N5883 - 2N5886) Complementary Silicon High-Power Transistors
Datasheet 2N5884 Datasheet2N5884 Datasheet (PDF)

www.DataSheet4U.com 2N5883, 2N5884 (PNP) 2N5885, 2N5886 (NPN) 2N5884 and 2N5886 are Preferred Devices Complementary Silicon High−Power Transistors Complementary silicon high−power transistors are designed for general−purpose power amplifier and switching applications. Features http://onsemi.com • Low Collector−Emitter Saturation Voltage − • • • • VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc Low Leakage Current ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage Excellent DC Current Gain − hFE = 20 (min) at IC.

  2N5884   2N5884


Document
www.DataSheet4U.com 2N5883, 2N5884 (PNP) 2N5885, 2N5886 (NPN) 2N5884 and 2N5886 are Preferred Devices Complementary Silicon High−Power Transistors Complementary silicon high−power transistors are designed for general−purpose power amplifier and switching applications. Features http://onsemi.com • Low Collector−Emitter Saturation Voltage − • • • • VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc Low Leakage Current ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage Excellent DC Current Gain − hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc High Current Gain Bandwidth Product − ft = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc Pb−Free Packages are Available* 25 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 − 80 VOLTS, 200 WATTS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ MAXIMUM RATINGS (Note 1) Rating Symbol VCEO Value 60 80 60 80 Unit Vdc Collector−Emitter Voltage 2N5883, 2N5885 2N5884, 2N5886 Collector−Base Voltage 2N5883, 2N5885 2N5884, 2N5886 VCB Vdc Emitter−Base Voltage Collector Current − Continuous Peak Base Current VEB IC 5.0 25 50 Vdc Adc IB 7.5 Adc Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 200 1.15 W W/°C °C TJ, Tstg – 65 to + 200 TO−204AA (TO−3) CASE 1−07 STYLE 1 MARKING DIAGRAM 2N588xG AYYWW MEX 2N588x G A YY WW MEX THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol qJC Max Unit = Device Code x = 3, 4, 5, or 6 = Pb−Free Package = Assembly Location = Year = Work Week = Country of Origin Thermal Resistance, Junction−to−Case 0.875 °C/W Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. 1. Indicates JEDEC registered data. Units and conditions differ on some parameters and re−registration reflecting these changes has been requested. All above values most or exceed present JEDEC registered data. ORDERING INFORMATION See detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 5 of this data sheet. Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value. *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 1 March, 2006 − Rev. 11 Publication Order Number: 2N5883/D ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Note 2) (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 3) (IC = 200 mAdc, IB = 0) Collector Cutoff Current (VCE = 30 Vdc, IB = 0) (VCE = 40 Vdc, IB = 0) Symbol Min 60 80 − − − − − − − − − Max − − Unit Vdc 2N5883, 2N5885 2N5884, 2N5886 2N5883, 2N5885 2N5984, 2N5886 VCEO(sus) ICEO 2.0 2.0 1.0 1.0 10 10 mAdc Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) (VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) (VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150°C) (VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150°C).


2N5883 2N5884 2N5885


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)