F1047B

www.DataSheet4U.com GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1047A F 1047B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse Chipgröße 300 x 300 µm2 GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Vorderseitenmetallisierung: Aluminium Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung Lieferung: vereinzelt auf Folie Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Lichtschranken bis 500 kHz Sensorik Diskrete Optokoppler I Features Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in TOPLED® package. Chipsize: 300 x 300 µm² Very highly efficient GaAlAs LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Frontside metallization: aluminum Backside metallization: gold alloy Delivery: diced on foil Applications IR remote control for hifi and TV sets, video tape recorder, dimmers Remote control for steady and varying intensity Light-reflection switches (max. 500 kHz) Sensor technology Discrete optocouplers Typ Type F 1047A F 1047B Bestellnummer Ordering Code Q67220-C1386 on request Beschreibung Description Infrarot emittierender Chip, Oberseite Kathodenanschluss Infrared emitting die, top side cathode connection Infrarot emitt...