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SFH3401 Dataheets PDF



Part Number SFH3401
Manufacturers OSRAM
Logo OSRAM
Description NPN-Silizium-Fototransistor
Datasheet SFH3401 DatasheetSFH3401 Datasheet (PDF)

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 www.DataSheet4U.com Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4) • Nur gegurtet lieferbar Anwendungen • Umgebungslicht-Detektor • Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Industrieelektronik • „Messen/Steuern/Regeln“ Typ Type SFH 3401 SFH 3401-2/3 Bestellnu.

  SFH3401   SFH3401



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NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 www.DataSheet4U.com Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4) • Nur gegurtet lieferbar Anwendungen • Umgebungslicht-Detektor • Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Industrieelektronik • „Messen/Steuern/Regeln“ Typ Type SFH 3401 SFH 3401-2/3 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5014 Q62702-P5200 Features • Especially suitable for applications from 460 nm to 1080 nm • High linearity • SMT package with base connection, suitable for vapor phase and IR reflow soldering (JEDEC level 4) • Available only on tape and reel Applications • • • • Ambient light detector Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Gehäuse Package Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung: breiter Anschluß Transparent epoxy resin, collector marking: broad lead 2001-12-11 1 SFH 3401 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage www.DataSheet4U.com Symbol Symbol Wert Value – 40 … + 100 20 70 50 100 7 120 450 Einheit Unit °C V V mA mA V mW K/W Top; Tstg VCE VCE IC ICS VEC Ptot RthJA Kollektor-Emitterspannung, t < 120 s Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb 2001-12-11 2 SFH 3401 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax www.DataSheet4U.com Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessungen der Chipfläche Dimensions of chip area Halbwinkel Half angle Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Kapazität, VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Kapazität, VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 Fotostrom der Kollektor-Basis Fotodiode Photocurrent of collektor-base photodiode Ee = 0.1 mW/cm2, VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V Symbol Symbol λS max λ Wert Value 850 460 … 1080 Einheit Unit nm nm A L×B L×W ϕ 0.55 1×1 ± 60 15 45 19 3 (≤ 200) mm2 mm × mm Grad deg. pF pF pF nA CCE CCB CEB ICEO IPCB IPCB 0.28 4.8 µA µA 2001-12-11 3 SFH 3401 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Parameter Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V www.DataSheet4U.com Ev = 1000 Ix, Normlicht A/ standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.1 mW/cm2 Stromverstärkung Current gain Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V 1) 1) Symbol Symbol -1 -2 Wert Value -3 Einheit Unit IPCE IPCE tr, tf 63 … 125 1.65 16 100 … 200 2.6 24 160 … 320 4.2 34 µA mA µs VCEsat 170 170 170 mV IPCE/IPCB 340 530 860 – IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group. Directional Characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 1.0 OHF01402 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 2001-12-11 4 SFH 3401 Rel. Spectral Sensitivity, Srel = f (λ) 100 S rel % 80 70 60 50 40 30 10 -2 Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V OHF02332 Collector-Emitter Capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 OHF00326 Ι pce 10 1 mA 1 2 3 C CE 20 pF OHF02344 10 0 15 10 -1 10 www.DataSheet4U.com 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ 5 10 -3 10 -4 -3 10 10 -2 mW/cm 2 Ee 10 0 0 -2 10 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VCE Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25 °C Ι PCE 25 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -25 Dark Current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0 Ι CEO 10 3 nA OHF02342 Collector-Base Capacitance CCB = f (VCB), f = 1 MHz, E = 0 C CB 50 pF 45 40 OHF00332 Ι PCE 1.6 OHF01524 10 2 35 30 10 1 25 20 15 10 0 10 5 0 25 50 75 C 100 TA 10 -1 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 0 -2 10 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 V CB Photocurrent IPCE = f (VCE) SFH 3401-3 Ι pce 3.0 mA 2.5 1.0 mW/cm 2 OHF00327 Dark Current ICEO = f (VCE), E = 0 Ι CEO 10 2 nA OHF02341 Emitter-Base Capacitance CEB = f (VEB), f = 1 MHz, E = 0 C EB 20 pF 18 16 OHF00333 10 1 2.0 14 12 1.5 0.5 mW/cm 2 1.0 0.25 mW/cm 2 0.5 0.1 mW/cm 2 0 10 0 10 8 6 10 -1 4 2 10 -2 0 10 .


2SC1651 SFH3401 SFH3410


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