Document
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401
www.DataSheet4U.com
Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4) • Nur gegurtet lieferbar Anwendungen • Umgebungslicht-Detektor • Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Industrieelektronik • „Messen/Steuern/Regeln“ Typ Type SFH 3401 SFH 3401-2/3 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5014 Q62702-P5200
Features • Especially suitable for applications from 460 nm to 1080 nm • High linearity • SMT package with base connection, suitable for vapor phase and IR reflow soldering (JEDEC level 4) • Available only on tape and reel Applications • • • • Ambient light detector Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits
Gehäuse Package Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung: breiter Anschluß Transparent epoxy resin, collector marking: broad lead
2001-12-11
1
SFH 3401
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage
www.DataSheet4U.com
Symbol Symbol
Wert Value – 40 … + 100 20 70 50 100 7 120 450
Einheit Unit °C V V mA mA V mW K/W
Top; Tstg VCE VCE IC ICS VEC Ptot RthJA
Kollektor-Emitterspannung, t < 120 s Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb
2001-12-11
2
SFH 3401
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax www.DataSheet4U.com Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessungen der Chipfläche Dimensions of chip area Halbwinkel Half angle Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Kapazität, VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Kapazität, VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 Fotostrom der Kollektor-Basis Fotodiode Photocurrent of collektor-base photodiode Ee = 0.1 mW/cm2, VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V Symbol Symbol λS max λ Wert Value 850 460 … 1080 Einheit Unit nm nm
A L×B L×W
ϕ
0.55 1×1 ± 60 15 45 19 3 (≤ 200)
mm2 mm × mm Grad deg. pF pF pF nA
CCE CCB CEB ICEO
IPCB IPCB
0.28 4.8
µA µA
2001-12-11
3
SFH 3401
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Parameter Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V www.DataSheet4U.com Ev = 1000 Ix, Normlicht A/ standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.1 mW/cm2 Stromverstärkung Current gain Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V
1) 1)
Symbol Symbol -1 -2
Wert Value -3
Einheit Unit
IPCE IPCE tr, tf
63 … 125 1.65 16
100 … 200 2.6 24
160 … 320 4.2 34
µA mA µs
VCEsat
170
170
170
mV
IPCE/IPCB 340
530
860
–
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group.
Directional Characteristics Srel = f (ϕ)
40 30 20 10
ϕ
0 1.0
OHF01402
50 0.8 60
0.6
70
0.4
80
0.2 0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2001-12-11
4
SFH 3401
Rel. Spectral Sensitivity, Srel = f (λ)
100 S rel % 80 70 60 50 40 30
10
-2
Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
OHF02332
Collector-Emitter Capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
OHF00326
Ι pce
10 1 mA 1 2 3
C CE
20 pF
OHF02344
10 0
15
10 -1
10
www.DataSheet4U.com
20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ
5
10 -3
10 -4 -3 10
10 -2
mW/cm 2 Ee
10 0
0 -2 10
10 -1
10 0
10 1
V 10 2 VCE
Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25 °C
Ι PCE 25
1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -25
Dark Current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0
Ι CEO
10 3 nA
OHF02342
Collector-Base Capacitance CCB = f (VCB), f = 1 MHz, E = 0
C CB 50 pF 45 40
OHF00332
Ι PCE
1.6
OHF01524
10 2
35 30
10
1
25 20 15
10 0
10 5
0 25 50 75 C 100 TA
10 -1 0
20
40
60
80 ˚C 100 TA
0 -2 10
10 -1
10 0
10 1
V 10 2 V CB
Photocurrent
IPCE = f (VCE) SFH 3401-3
Ι pce
3.0 mA 2.5 1.0 mW/cm 2
OHF00327
Dark Current ICEO = f (VCE), E = 0
Ι CEO
10 2 nA
OHF02341
Emitter-Base Capacitance CEB = f (VEB), f = 1 MHz, E = 0
C EB 20 pF 18 16
OHF00333
10 1
2.0
14 12
1.5 0.5 mW/cm 2 1.0 0.25 mW/cm 2 0.5 0.1 mW/cm 2 0
10 0
10 8 6
10 -1
4 2
10 -2
0 10 .