NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics SFH 3410
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NPN-Si-Foto
transistor mit Vλ Charakteristik Silicon
NPN Photo
transistor with Vλ Characteristics SFH 3410
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Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ) SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4) Nur gegurtet lieferbar Anwendungen Umgebungslicht-Detektor Beleuchtungsmesser Dimmungssensor für Hintergrundbeleuchtung „Messen/Steuern/Regeln“ Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5160 Q65110A0049 Q65110A0050 Q65110A0051
Features Especially suitable for applications from 350 nm to 970 nm Adapted to human eye sensitivity (Vλ) SMT package without base connection, suitable for vapor phase and IR reflow soldering (JEDEC level 4) Only available on tape and reel Applications Ambient light detector Exposure meter for daylight and artificial light Sensor for Backlight-Dimming For control and drive circuits
tSilicon
NPN Photo
transistor with Vλ Characteristics
Typ Type SFH 3410 SFH 3410 -1/2 SFH 3410 -2/3 SFH 3410 -3/4
Fotostrom Ev = 20 lx, Standard light A, VCE = 5 V Photocurrent Ipce (µA) >3.2 3.2…10 5…16 8…25
2002-12-18
1
SFH 3410
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage
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Symbol Symbol
Wert Value – 40 … + 100 5.5 20 0.5
Einheit Unit ...