Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 800 R12 KS4
Vorläufige Daten Preliminary dat...
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 800 R12 KS4
Vorläufige Daten Preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 80°C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES 1200 V
IC,nom. IC ICRM
800 1200 1600
A A A
www.DataSheet4U.com Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
TC=25°C,
Transistor
Ptot
6,9
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
800
A
tP = 1 ms
IFRM
1600
A
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
2 It
185.000
A2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
2.500
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor /
Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannunggate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Gateladung gate charge Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 32 mA, VCE = VGE, Tvj =...
