FD400R12KF4

European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG www.DataSheet4U.com Marketing Information FD 400 R 12 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 130 114 E1 C2 C1 E1 G1 C1 E2 M4 7 28 2,5 deep 16 40 53 2,5 deep screwing depth max. 8 E1 E1 C2 (K) G1 C1 C1 E2 (A) A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze FD 400 R 12 KF 4 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung www.DataSheet4U.com collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collctor current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL min. 4,5 Eoff 60 - mWs typ. 2,7 3,3 5,5 28 8 32 0,7 0,8 0,9 1,0 0,10 0,15 70 1200 400 800 2700 ± 20 400 800 2,5 max. 3,2 3,9 6,5 400 400 V A A W V A A kV tp=1 ms tC=25°C, Transistor /transistor tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) Speicherzeit (induktive Last) Fallzeit (induktive Last) Einschaltverlustenergie pro puls Abschaltverlustene...