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FS20R06XL4 Dataheets PDF



Part Number FS20R06XL4
Manufacturers Eupec GmbH
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Description IGBT-Modules
Datasheet FS20R06XL4 DatasheetFS20R06XL4 Datasheet (PDF)

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS20R06XL4 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom www.DataSheet4U.com repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter p.

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Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS20R06XL4 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom www.DataSheet4U.com repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C RMS, f= 50Hz, t= 1min Tvj = 25 °C TC = TC = 70 °C 25 °C 70 °C VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES IF IFRM I²t VISOL 600 20 26 40 V A A A tp= 1ms, TC = Tc= 25°C, Transistor 89 W +20 V 20 A 40 A 73 A²s 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter saturation voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= VGE= -15V...+15V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V VCE = 600 V, VGE= 0V, Tvj= 25°C 0,5 mA VCEsat VGE(th) QG Cies Cres ICES IGES min. 4,5 typ. 1,95 2,20 5,5 max. 2,55 6,5 V V V - 0,11 - µC 0,9 nF 0,08 nF - - 5 mA VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C - - 400 nA prepared by: P. Kanschat approved: M. Hierholzer date of publication: revision: 2.0 2002-12-17 1 (8) Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS20R06XL4 vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) IC= 20 A, VCC = 300 V 13 Ω, Tvj= 25°C 13 Ω, Tvj= 125°C 300 V 13 Ω, Tvj= 25°C 13 Ω, Tvj= 125°C 300 V 13 Ω, Tvj= 25°C 13 Ω, Tvj= 125°C 300 V 13 Ω, Tvj= 25°C 13 Ω, Tvj= 125°C 300 V Eon Eoff ISC LσCE Tc= 25°C RCC´/EE´ tf 18 25 0,65 ns ns mJ td,off 80 110 ns ns tr 7 8 ns ns td,on 20 21 ns ns VGE = ±15V, RG = VGE = ±15V, RG = Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) www.DataSheet4U.com Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) IC = 20 A, VCC = VGE = ±15V, RG = VGE = ±15V, RG = IC = 20 A, VCC = VGE = ±15V, RG = VGE = ±15V, RG = Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulinduktivität stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip IC = 20 A, VCC = VGE = ±15V, RG = VGE = ±15V, RG = IC = IC = 20 A, VCC = A, VCC = min. typ. max. RG = 13 Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 15 nH 20 300 V RG = 13 Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 15 nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, Tvj= 125°C, VCC = 360 V, VCEmax=VCES -LσCE ·|di/dt| - 0,45 - mJ - 90 - A - 25 - nH mΩ - 8 - Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = IF = IF = VR = VR = Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = VR = VR = Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = VR = VR = 20 A, VGE= 0V, Tvj= 25°C 20 A, VGE= 0V, Tvj= 125°C 20 A, -diF/dt = 2700 A/µs IRM Qr 51 53 A A 300 V, VGE= -10V, Tvj= 25°C 300 V, VGE= -10V, Tvj= 125°C 20 A, -diF/dt = 2700 A/µs Erec 1,3 2,0 µC µC 300 V, VGE= -10V, Tvj= 25°C 300 V, VGE= -10V, Tvj= 125°C 20 A, -diF/dt = 2700 A/µs 0,40 0,55 mJ mJ 300 V, VGE= -10V, Tvj= 25°C 300 V, VGE= -10V, Tvj= 125°C VF 1,35 1,30 1,9 V V 2 (8) Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS20R06XL4 vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R100 deviation of R100 Verlustleistung power dissipation www.DataSheet4U.com B-Wert B-value Tc= 25°C Tc= 100°C, R100= 493Ω Tc= 25°C R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] R25 ∆R/R P25 B25/50 min. typ. 5 max. kΩ % -5 - 5 - - 20 mW - 3375 - K Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance, junction to case; DC Wärmewiderstand; DC thermal resistance, junction to heatsink; DC Transistor Wechselr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter Transistor Wechselr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter λ Paste = 1 W/m*K / λ grease = 1 W/m*K Übergangs-Wärmewiderstand, DC thermal resistance, case t.


IRFL9110PBF FS20R06XL4 AAT1011A


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