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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS20R06XL4
vorläufige Daten preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom www.DataSheet4U.com repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C RMS, f= 50Hz, t= 1min Tvj = 25 °C TC = TC = 70 °C 25 °C 70 °C VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES IF IFRM I²t VISOL 600 20 26 40 V A A A
tp= 1ms, TC =
Tc= 25°C, Transistor
89
W
+20
V
20
A
40
A
73
A²s
2,5
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter saturation voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= VGE= -15V...+15V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V VCE = 600 V, VGE= 0V, Tvj= 25°C 0,5 mA VCEsat VGE(th) QG Cies Cres ICES IGES min. 4,5 typ. 1,95 2,20 5,5 max. 2,55 6,5 V V V
-
0,11
-
µC
0,9
nF
0,08
nF
-
-
5
mA
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
-
-
400
nA
prepared by: P. Kanschat approved: M. Hierholzer
date of publication: revision: 2.0
2002-12-17
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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS20R06XL4
vorläufige Daten preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) IC= 20 A, VCC = 300 V 13 Ω, Tvj= 25°C 13 Ω, Tvj= 125°C 300 V 13 Ω, Tvj= 25°C 13 Ω, Tvj= 125°C 300 V 13 Ω, Tvj= 25°C 13 Ω, Tvj= 125°C 300 V 13 Ω, Tvj= 25°C 13 Ω, Tvj= 125°C 300 V Eon Eoff ISC LσCE Tc= 25°C RCC´/EE´ tf 18 25 0,65 ns ns mJ td,off 80 110 ns ns tr 7 8 ns ns td,on 20 21 ns ns VGE = ±15V, RG = VGE = ±15V, RG = Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) www.DataSheet4U.com Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) IC = 20 A, VCC = VGE = ±15V, RG = VGE = ±15V, RG = IC = 20 A, VCC = VGE = ±15V, RG = VGE = ±15V, RG = Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulinduktivität stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip IC = 20 A, VCC = VGE = ±15V, RG = VGE = ±15V, RG = IC = IC = 20 A, VCC = A, VCC = min. typ. max.
RG = 13 Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 15 nH 20 300 V RG = 13 Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 15 nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, Tvj= 125°C, VCC = 360 V, VCEmax=VCES -LσCE ·|di/dt|
-
0,45
-
mJ
-
90
-
A
-
25
-
nH mΩ
-
8
-
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = IF = IF = VR = VR = Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = VR = VR = Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = VR = VR = 20 A, VGE= 0V, Tvj= 25°C 20 A, VGE= 0V, Tvj= 125°C 20 A, -diF/dt = 2700 A/µs IRM Qr 51 53 A A 300 V, VGE= -10V, Tvj= 25°C 300 V, VGE= -10V, Tvj= 125°C 20 A, -diF/dt = 2700 A/µs Erec 1,3 2,0 µC µC 300 V, VGE= -10V, Tvj= 25°C 300 V, VGE= -10V, Tvj= 125°C 20 A, -diF/dt = 2700 A/µs 0,40 0,55 mJ mJ 300 V, VGE= -10V, Tvj= 25°C 300 V, VGE= -10V, Tvj= 125°C VF 1,35 1,30 1,9 V V
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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS20R06XL4
vorläufige Daten preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R100 deviation of R100 Verlustleistung power dissipation www.DataSheet4U.com B-Wert B-value Tc= 25°C Tc= 100°C, R100= 493Ω Tc= 25°C R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] R25 ∆R/R P25 B25/50 min. typ. 5 max. kΩ %
-5
-
5
-
-
20
mW
-
3375
-
K
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance, junction to case; DC Wärmewiderstand; DC thermal resistance, junction to heatsink; DC Transistor Wechselr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter Transistor Wechselr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter λ Paste = 1 W/m*K / λ grease = 1 W/m*K Übergangs-Wärmewiderstand, DC thermal resistance, case t.