FS100R12KE3

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS100R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom www.DataSheet4U.com repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C VCES IC, nom IC ICRM 1200 100 140 200 V A A A Tc= 25°C Ptot 480 W VGES +/- 20 V IF 100 A IFRM 200 A VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I²t 1,95 kA²s RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 4mA VCEsat min. 5 typ. 1,7 2 5,8 max. 2,1 t....