FB10R06KL4GB1

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FB10R06KL4GB1 Vorläufig preliminary Elektrische Eigenschaften /electrical properties Höchstzulässige Werte /maximum rated values Diode Gleichrichter / diode rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip RMS forward current per chip www.DataSheet4U.com Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value 2 Tvj =25°C TC =80°C TC =80°C tP = 10 ms, T vj = tP = 10 ms, T vj = 25°C 25°C VRRM IFRMSM IRMSmax IFSM It 2 800 V 23 25 197 158 194 125 A A A A As As 2 2 tP = 10 ms, T vj = 150°C tP = 10 ms, T vj = 150°C Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter / diode inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral 2 I t - value tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF IFRM It 2 Tvj =25°C TC =80°C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C T C =80°C VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES 600 10 15 20 55 +/- 20V V A A A W V 10 20 12 A A As 2 Transistor Brems-Chopper / transisto...