NPN Transistors. DK52 Datasheet

DK52 Transistors. Datasheet pdf. Equivalent


JDsemi DK52
DK52
NPN 大功率晶体管
* 主要用途 :
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
* 主要特点:
硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。
* 封装形式:
www.DataSheet4U.com TO-251 TO-252
极限值:( Tc=25 )
参 数 名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
Icm
Pcm
Tjm
Tstg
TO-251
TO-252
1. 基极 2. 集电极 3. 发射极
BC
E
额定值
400
600
9
1.2
20
150
55 150
单位
V
V
V
A
W
电特性: ( Tc=25 )
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-基极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
下降时间
特征频率
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
HFE
VCE (sat)
tf
fT
测试条件
IC=1mA
IB=0
IC=1mA
IE=0
IE=1mA
IC=0
VCE=350VIB=0
VCB=550VIE=0
VEB=7V
IC=0
VCE=5VIC=0.2A
IC=0.5AIB=0.2A
IC=1AIB1=IB2=0.2AVCE=300V
VCE=10VIC=0.1Af =1MHz
规范值
最小值 最大值
400
600
9
20
10
10
10 35
0.6
0.3
8
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
uS
MHz
深圳市晶导电子有限公司


DK52 Datasheet
Recommendation DK52 Datasheet
Part DK52
Description NPN Transistors
Feature DK52; DK52 * : 、、。 NPN TO-251 * : 、、。 TO-252 * : www.DataSheet4U.com TO-251 / TO-252 1. B 2. C 3.
Manufacture JDsemi
Datasheet
Download DK52 Datasheet




JDsemi DK52
DK52
NPN 大功率晶体管
0.5
0.4
www.DataSheet4U.com
0.3
0.2
0.1
0
静态输出特性
50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
Ib=0
2468
VceV)集电极-发射极电压
10
Vcesat)集电极 - 发射极饱和压降- Ic 集电极电流
3
2
Ic=2Ib
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8
IcA)集电极电流
1
1.2
SOADC)安全工作区
5
1
0.5
HFE 直流电流增益- Ic 集电极电流
50
40
30 Vce=5V
20
10
1
0.001
0.01 0.1
IcA)集电极电流
1.2
Pc 耗散功率- Tj 结温
125
100
75
50
25
0 40 80 120 160 200
Tj(℃)结温
0.05
0.01
1
10 100
VceV)集电极-发射极电压
1000
深圳市晶导电子有限公司



JDsemi DK52
TO 251 外形尺寸图
单位:mm
www.DataSheet4U.com
符号
A
B
C
D
G
J
K
L
N
Q
R
S
Z
最小值
6.11
6.41
2.27
0.70
0.48
7.45
0.52
4.49
0.85
1.09
0.49
1.86
深圳市晶导电子有限公司
典型值
6.13
6.44
2.30
0.75
2.26
0.51
7.50
0.55
4.52
0.88
1.125
0.52
1.88
最大值
6.15
6.47
2.33
0.80
0.54
7.55
0.58
4.55
0.91
1.16
0.55
1.90







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