DK52 Transistors Datasheet

DK52 Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

DK52

Description

NPN Transistors

Manufacture

JDsemi

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Datasheet
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DK52
DK52
NPN 大功率晶体管
* 主要用途 :
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
* 主要特点:
硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。
* 封装形式:
www.DataSheet4U.com TO-251 TO-252
极限值:( Tc=25 )
参 数 名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
Icm
Pcm
Tjm
Tstg
TO-251
TO-252
1. 基极 2. 集电极 3. 发射极
BC
E
额定值
400
600
9
1.2
20
150
55 150
单位
V
V
V
A
W
电特性: ( Tc=25 )
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-基极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
下降时间
特征频率
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
HFE
VCE (sat)
tf
fT
测试条件
IC=1mA
IB=0
IC=1mA
IE=0
IE=1mA
IC=0
VCE=350VIB=0
VCB=550VIE=0
VEB=7V
IC=0
VCE=5VIC=0.2A
IC=0.5AIB=0.2A
IC=1AIB1=IB2=0.2AVCE=300V
VCE=10VIC=0.1Af =1MHz
规范值
最小值 最大值
400
600
9
20
10
10
10 35
0.6
0.3
8
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
uS
MHz
深圳市晶导电子有限公司

DK52
DK52
NPN 大功率晶体管
0.5
0.4
www.DataSheet4U.com
0.3
0.2
0.1
0
静态输出特性
50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
Ib=0
2468
VceV)集电极-发射极电压
10
Vcesat)集电极 - 发射极饱和压降- Ic 集电极电流
3
2
Ic=2Ib
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8
IcA)集电极电流
1
1.2
SOADC)安全工作区
5
1
0.5
HFE 直流电流增益- Ic 集电极电流
50
40
30 Vce=5V
20
10
1
0.001
0.01 0.1
IcA)集电极电流
1.2
Pc 耗散功率- Tj 结温
125
100
75
50
25
0 40 80 120 160 200
Tj(℃)结温
0.05
0.01
1
10 100
VceV)集电极-发射极电压
1000
深圳市晶导电子有限公司


Features DK52 * : 、、 NPN TO-251 * : 、、 TO-252 * : www.DataSheet4U.c om TO-251 / TO-252 1. B 2. C 3. E :( Tc=25 ℃ ) ≥ 400 ≥ 6 00 ≥9 1.2 20 150 - 55 ~ 150 V V V A W ℃ ℃ - - - BVCE O BVCBO BVEBO Icm Pcm Tjm Tstg : ( T c=25 ℃ ) - - - - - - BVCEO BVCBO BVEBO ICEO ICBO IEBO HFE VCE (sat) tf fT IC=1mA; IC= 1mA; IE=1mA; VCE=350V; VCB=550V VEB=7V; VCE=5V; IC=0.5A; IB=0 I E=0 IC=0 IB=0 IE=0 IC=0 IC=0.2A IB=0.2A 400 600 9 20 10 10 10 35 0.6 0.3 8 V V V uA uA uA V uS MHz IC=1A;IB 1=IB2=0.2A;VCE=300V VCE=10V;I C=0.1 A; f =1MHz DK52 NPN 0.5 50mA 0.4 40mA Ic (A ) HFE 0.3 30mA 30 4 0 50 HFE - Ic Vce=5V www.DataShee t4U.com 0.2 20mA 20 0.1 10mA 10 Ib=0 0 2 4 6 8 Vce(V)- 10 1 0.00 1 0.01 0.1 Ic(A) 1.2 Vce(sat ) - - Ic 3 (V )- Vce (sat ) 125 Pc - Tj 100 2 Ic=2Ib Pc (W %) 75 1 50 25 0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 Ic(A) 1 1.2 0 40 80 120 Tj(℃) 160 200 SOA(DC) 5 1 0.5 Ic (A ) 0.05 0.01 1 10 100 Vce(V)- 1000 TO - 251 :mm www.DataSheet.
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