198NT1 198NT1 Datasheet

198NT1 Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

198NT1

Description

198NT1

Manufacture

ETC

Total Page 2 Pages
Datasheet
Download 198NT1 Datasheet


198NT1
СВЕДЕНИЯ О ПРИЕМКЕ
Микросхемы интегральные 198НТ1АТВК, 198НТ1БТВК, 198НТ1ВТВК,
198НТ1АТ1ВК, 198НТ1БТ1ВК, 198НТ1ВТ1ВК cоответствуют техническим
условиям АЕЯР.431410.245 ТУ; ОСМ198НТ1АТ1ВК, ОСМ198НТ1БТ1ВК,
ОСМ198НТ1ВТ1ВК cоответствуют техническим условиям
АЕЯР. 431410.245 ТУ и ПО.070.052 и признаны годными для эксплуатации.
Приняты по извещению №_________от_________
Дата
Штамп ОТК
Штамп представителя заказчика
Перепроверка произведена__________________
Дата
МИКРОСХЕМЫ 198НТ1АТВК,
198НТ1БТВК, 198НТ1ВТВК, 198НТ1АТ1ВК,
198НТ1БТ1ВК, 198НТ1ВТ1ВК, ОСМ198НТ1АТ1ВК,
ОСМ198НТ1БТ1ВК, ОСМ198НТ1ВТ1ВК
Код ОКП:
6331328235 – 198НТ1АТВК; 6331328245 – 198НТ1АТ1ВК, ОСМ198НТ1АТ1ВК
6331328275 – 198НТ1БТВК; 6331328285 – 198НТ1БТ1ВК, ОСМ198НТ1БТ1ВК
6331328315 – 198НТ1ВТВК; 6331328325 – 198НТ1ВТ1ВК, ОСМ198НТ1ВТ1ВК
ЭТИКЕТКА
САРЛ.431130.030 ЭТ1
Микросхемы интегральные 198НТ1АТВК, 198НТ1БТВК,
198НТ1ВТВК, 198НТ1АТ1ВК, 198НТ1БТ1ВК, 198НТ1ВТ1ВК,
ОСМ198НТ1АТ1ВК, ОСМ198НТ1БТ1ВК, ОСМ 198НТ1ВТ1ВК
матрица транзисторов NPN типа.
Схема расположения выводов
Приняты по извещению №_________от_________
Дата
Штамп ОТК
Штамп представителя заказчика
УКАЗАНИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ
«ВНИМАНИЕ-Соблюдайте меры предосторожности при работе ПРИБОРЫ,
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ К СТАТИЧЕСКОМУ ЭЛЕКТРИЧЕСТВУ».
Допустимое значение статического потенциала 200 В.
Нумерация выводов показана условно.
Ключ показывает начало отсчета выводов.
Масса не более 0,8 г.
Схема электрическая принципиальная
12 1 7
4
VТ1 VТ2 VТ3 VТ4
VТ5
13 14 10 11
2 3 8956

198NT1
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
при температуре ( 25±5 ) °C
Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Статический
коэффициент передачи
тока
при:UСВ=3 В; IЕ=-0,5 мА
при: UСВ=3 В; IЕ=-0,05 мА
Обратный ток эмиттера,
нА
Буквен-
ное
обозна-
чение
h21Е
IЕБО
198НТ1АТВК
198НТ1АТ1ВК
ОСМ198НТ1АТ1ВК
не не
менее более
30 200
--
- 100
Норма
198НТ1БТВК
198НТ1БТ1ВК
ОСМ198НТ1БТ1ВК
не не
менее более
30 200
--
- 100
198НТ1ВТВК
198НТ1ВТ1ВК
ОСМ198НТ1ВТ1ВК
не не
менее более
--
50 250
- 100
Ток утечки, нА
Обратный ток
коллектора,мкА,
при: UСВ=6 В
Напряжение насыщения
база-эмиттер,В,
при: IС=3 мА; IВ=0,5 мА
IL
IСВО
UВЕ sat
- 50 - 50 - 50
- 0,05 - 0,05 - 0,05
- 0,8 -
0,8 - 0,8
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер,В,
при: IC=3 мА; IВ=0,5 мА
Разброс статических
коэффициентов передачи
тока (транзисторов VT1,
VT2),%,
при: UСВ=3 В; IЕ=- 0,5 мА
UCЕ sat
h21Е
- 0,2 - 0,2 - 0,2
- 15 - 15 - 15
Разброс напряжения база-
эмиттер (транзисторов
VT1, VT2), мВ,
при: UСВ=3 В;ΣIЕ= 0,5 мА
UВЕ
- |3| - |10| - |3|
Содержание драгоценных металлов в 1000 шт. микросхем:
- золото
Цветных металлов не содержится.
НАДЕЖНОСТЬ
Минимальная наработка (Тнм) микросхем в режимах и
условиях допускаемых ТУ, - 100000 ч, а в следующих
облегченных режимах при напряжениях, токах и мощностях, не
превышающих 60 % от предельных значений – 120000 ч.
Гамма-процентный ресурс (Трγ) микросхем при γ=95%
200000 ч
Минимальный срок сохраняемости микросхем (Тсм) при их
хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми
влажностью и температурой или местах хранения микросхем,
вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в
защищенном комплекте ЗИП, - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в
аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте
ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления,
указанной на микросхеме.
ГАРАНТИИ ИЗГОТОВИТЕЛЯ
Изготовитель гарантирует соответствие поставляемых
микросхем всем требованиям АЕЯР.431410.245 ТУ; а микросхем с
индексом «ОСМ» - АЕЯР.431410.245 ТУ и ПО.070.052 в течение
срока сохраняемости и минимальной наработки в пределах срока
сохраняемости при соблюдении потребителем режимов и условий
эксплуатации, правил хранения и эксплуатации, а также указаний
по применению, установленных ТУ.
Срок гарантии исчисляется с даты изготовления, нанесенной
на микросхеме.


Features СВЕДЕНИЯ О ПРИЕМКЕ Ми росхемы интегральны 198НТ1АТВК, 198НТ1БТВК, 1 98НТ1ВТВК, 198НТ1АТ1ВК, 198 НТ1БТ1ВК, 198НТ1ВТ1ВК cоо тветствуют техническ им условиям АЕЯР.431410.2 45 ТУ; ОСМ198НТ1АТ1ВК, ОС 198НТ1БТ1ВК, ОСМ198НТ1ВТ1 ВК cоответствуют техн ическим условиям АЕЯ . 431410.245 ТУ и ПО.070.052 и ризнаны годными для ксплуатации. Приняты по извещению №_________о т_________ Дата МИКРОСХЕ Ы 198НТ1АТВК, 198НТ1БТВК, 198НТ1ВТВК, 198НТ1АТ1ВК, 1 98НТ1БТ1ВК, 198НТ1ВТ1ВК, О СМ198НТ1АТ1ВК, ОСМ198НТ1Б Т1ВК, ОСМ198НТ1ВТ1ВК www.Da taSheet4U.com Код ОКП: 63313282 35 – 198НТ1АТВК; 6331328245 – 198НТ1АТ1ВК, ОСМ198НТ1АТ1 ВК 6331328275 – 198НТ1БТВК; 6331328285 – 198НТ1БТ1ВК, ОСМ198НТ1БТ1ВК 6331328315 – 198НТ1ВТВК; 6331328325 – 198НТ1ВТ1ВК, ОСМ198НТ1ВТ1ВК Штамп ОТК Штамп представителя заказчика ЭТИКЕТКА САРЛ.431130.030 ЭТ1 Микросхемы интегральные 198НТ1АТВК, 198НТ1БТВК, 198НТ1ВТВК, 198НТ1АТ1ВК, 198НТ1БТ1ВК, 198НТ1ВТ1ВК, ОСМ198НТ1АТ1ВК, ОСМ198НТ1БТ1ВК, ОСМ 198НТ1ВТ1ВК – матрица транзисторов NPN типа. Перепроверк.
Keywords 198NT1, datasheet, pdf, ETC, 198NT1, 98NT1, 8NT1, NT1, 198NT, 198N, 198, Equivalent, stock, pinout, distributor, price, schematic, inventory, databook, Electronic, Components, Parameters, parts, cross reference, chip, Semiconductor, circuit, Electric, manual, substitute




@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)