KT819A

CИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ СТБ ИСО 9001-2001 КТ819А÷Г www.DataSheet4U.com NPN КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО - ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР аАО.336.189 ТУ / 02 Предназначен для применения в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры широкого применения. * Изготавливается в корпусе КТ-28-2 (ТО-220). 1. Эмиттер 2. Коллектор 3. База ПРЕДЕЛЬНО- ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ Параметры Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 1 кОм КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100 Максимально допустимый постоянный ток базы Импульсный ток базы tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100 Рассеиваемая мощность при Ткорп. ≤ 25 °С Диапазон рабочих температур среды -60 до 100o С Обознач. Uкэ max Ед. измер. В Значение 40 50 70 100 5 10 15 3 5 60 Uэб max Iк max Iк и max Iб max Iб и max Рк мах В А А А А Вт ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ( Tокр.ср.=25°C ) Паpаметpы Обозна- Ед. изчен меp Обратный ток коллектора Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г Граничное напряжение КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Iкбо h21э мA Режимы измеpения Uкб=40B Uкб = 5 B, Iк=2A Min Max 1 Uкэо гр В Iэ =0.3 A, tи= 270÷330 мкс Iк=5A, Iб=0.5A 15 20 12 25 40 60 80 2 Uкэ нас В 220108, г.Минск, ул. Корженевского, 16, УП "Завод ТРАНЗИСТОР" Отдел маркетин...