Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP25R12KE3
Vorläufige Daten Preliminary data
E...
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP25R12KE3
Vorläufige Daten Preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Dauergleichstrom DC forward current Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value
2
VRRM I RMSmax TC = 80°C tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C Id I FSM I t
2
1600 60 25 315 260 500 340
V A A A A As 2 As
2
Transistor Wechselrichter/
Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C TC = 80 °C VCES I C,nom. IC I CRM Ptot VGES 1200 25 40 50 150 +/- 20V V A A A W V
Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
IF I FRM I t
2
25 50 170
A A As
2
www.DataSheet4U.com Grenzlastintegral I 2t - value
Transistor Brems-Chopper/
Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspann...
