NPN SILICON TRANSISTOR
N P N S I L I C O N T RAN S I S T O R
www.DataSheet4U.com
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H546
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T s...
Description
N P N S I L I C O N T RAN S I S T O R
www.DataSheet4U.com
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H546
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T stg ¡ ª Tj¡ª PC¡ª VCBO¡ ª VCEO¡ª
SWITCHING AND AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨
Storage Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Junction Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Collector Dissipation¡-¡ -¡ -¡ Collector-Base Voltage¡-¡ -¡ - ¡ - ¡ -¡ -¡ Collector-Emitter Voltage¡-¡ -¡ -¡ -¡ -¡ Emitter-Base Voltage¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Collector Current¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡
Ta=25¡æ£©
-55~150¡æ 150¡æ 500mW 80V 65V 6V 100mA
TO-92
1¨D Collector£¬ C 2¨D Base£¬ B 3¨D Emitter£¬ E
V EB O ¡ ª ¡ ª IC¡ª
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨
Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current
Ta=25¡æ£©
Typ Max Unit Test Conditions
Symbol
Min
BVCBO BVCEO BVEBO ICBO HFE£¨
1£©
80 65 6 15 110 90 200 0.7 0.9 580 660 300 2.5 2 10 800 250 600 1 1.2 700
V V V nA mV mV V V mV MHz pF dB
IC=100¦Ì IE=1mA£¬
A, IE=0 IC=0
IC=1mA, IB=0 VCB=30V, IE=0 VCE=5V, IC=2mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA VCE=5V, IC=2mA VCE=5V, IC=10mA VCB=10V, IE=0 f=100MHz VCE=5V, IC=0.2Ma f=1KHz£¬ Rg=2K¦¸
DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Current Gain-Bandwidth Product Output Capacitance Noise Figure
VCE(sat1) VCE(sat2) VBE(sat1) VBE(sat2) VBE(ON) fT Cob NF
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hFE Classific...
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