PDMB150BS12

QS043-402-20382（2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ １５０ Ａ， １２００Ｖ □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 94.0 80 ±0.25 ＰＤＭＢ１５０ＢＳ１２ 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 1 48.0 16.0 14.0 2 3 2-Ø6.5 7 6 5(E1) 4(G1) 5 4 3-M5 23.0 23.0 17.0 14 9 14 9 14 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 7 30 +1.0 - 0 .5 LABEL 4 18.0 4 Dimension:［mm］ □ ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コ レ ク タ Ｃollector Ｃurrent コ レ ク タ Ｃollector Ｐower Ｄissipation Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｓtorage Ｔemperature Ｒange (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink め け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ ＤＣ １ｍｓ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) １，２００ ±２０ １５０ ３００ ７６５ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ３（３０.６） ２（２０.４） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 150A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 4.0Ω ＲG= 10.0Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － ２.３ － 8,300 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. . １.０ ２.７ ８.０ － ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト れ Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト し き い ...