PDMB200BS12C

QS043-402-20371（2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ２００ＢＳ１２ ２００ Ａ，１２００Ｖ ＰＤＭＢ２００ＢＳ１2Ｃ □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 108 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 3-M6 7(G2) 6(E2) 4-Ø 6.5 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 94.0 80 ±0.25 62 11 13 20 6 15 6 48 ± 0 .2 5 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 2-Ø6.5 4 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 7 1 2 3 7 1 48.0 16.0 14.0 2 3 7 6 5(E1) 4(G1) 5 4 5 4 6 3-M5 23.0 23.0 17.0 25 16 9 16 25 9 16 24 14 9 14 9 14 30 +1.0 - 0.5 8 PDMB200BS12 □ ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コ レ ク タ Ｃollector Ｃurrent コ レ ク タ Ｃollector Ｐower Ｄissipation Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｓtorage Ｔemperature Ｒange (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink め け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ 7 23 LABEL 30 +1.0 - 0 .5 LABEL PDMB200BS12 Dimension:［mm］ Ｖａｌｕｅ 4 18.0 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） ３ （ ３ ０ .６ ） （ ２ ０ .４ ） ２ Ｎ・ｍ (kgf･cm) １，２００ ±２０ ２００ ４００ １，２００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB200BS12 ３ （ ３ ０ .６ ） ３ （ ３ ０ .６ ） PDMB200BS12C ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 3.0Ω ＲG= 7.5Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. －...