PDMB800E6

QS043-402-20396（2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－D ｕａｌ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ ８００Ａ，６００Ｖ □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 36 140 130 110 43.8 10 13.8 11.5 4 - Ø6.5 ＰＤＭＢ８００Ｅ６ (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 1 3-M8 7 6 2 3 5 65 5(E1) 4(G1) 4 4-M4 LABEL 4 24 35 14.5 40 110 130 14.5 20.5 10 Dimension:［mm］ □ ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コ レ ク タ Ｃollector Ｃurrent コ レ ク タ Ｃollector Ｐower Ｄissipation Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｓtorage Ｔemperature Ｒange (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink め け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｔerminals □ ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ６００ ±２０ ８００ １,６００ ２,７００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ３（３０.６） Ｍ４ Ｍ８ １.４（１４.３） １０.５（ １ ０ ７ ） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 800V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 800A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 800mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= 300V 0.375Ω 1.5Ω ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － ２.１ － 40,000 ０.１５ ０.３０ ０.１０ ０.４０ Ｍａｘ. １.０ １.０ ２.６ ８.０ － ０.３５ ０.８５ ０.２５ ０.８０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト れ Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト し き い Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage Ｉnput Ｃap...