LS3N163

LS3N163 P-CHANNEL MOSFET The LS3N163 is an enhancement mode P-Channel Mosfet The LS3N163 is an enhancement mode P-Channel Mosfet designed for use as a General Purpose amplifier or switch The hermetically sealed TO-72 package is well suited for high reliability and harsh environment applications. FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL LS3N163  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1  @ 25°C (unless otherwise noted)  ‐65°C to +200°C  ‐55°C to +150°C  375mW  50mA  Maximum Temperatures  Storage Temperature  (See Packaging Information). Operating Junction Temperature  Maximum Power Dissipation  Continuous Power Dissipation   LS3N163 Features: MAXIMUM CURRENT ƒ Very high Input Impedance Drain Current  ƒ Low Capacitance MAXIMUM VOLTAGES  ƒ High Gain Drain to Gate  ƒ High Gate Breakdown Voltage Drain to Source  ƒ Low Threshold Voltage Peak Gate to Source2 LS3N163 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  IGSSF  Gate Forward Current   ‐10  ‐‐  ‐‐  pA    TA= +125°C  ‐‐  ‐‐  ‐25  BVDSS  Drain to Source Breakdown Voltage  ‐40  ‐‐  ‐‐      BVSDS  Source‐Drain Breakdown Voltage  ‐40  ‐‐  ‐‐  V  VGS(th)  Gate to Source Threshold Voltage  ‐2.0  ‐‐  ‐5.0  ‐2.0  ‐‐  ‐5.0  VGS  Gate Source Voltage  ‐3.0  ‐‐  ‐6.5  IDSS  Drain Leakage Current “Off”  ‐‐  ‐‐  200  pA  ISDS  Source Drain Current  ‐‐  ‐‐  400  rDS(on)  Drain to Source “On” Resistance  ‐‐  ‐‐  250  Ω  ID(on)  Drain Current “On”  ‐5.0  ‐‐  ‐30  mA  gfs  Forward Transconductance  2...