LS3N191

LS3N191 P-CHANNEL MOSFET The LS3N191 is a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL LS3N191  LOW GATE LEAKAGE CURRENT  IGSS ≤ ± 10pA  LOW TRANSFER CAPACITANCE  Crss ≤ 1.0pF  The hermetically sealed TO-78 package is well suited ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1@ 25°C (unless otherwise noted)  for high reliability and harsh environment applications. Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐65°C to +150°C  (See Packaging Information). Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  Maximum Power Dissipation  Continuous Power Dissipation (one side)  300mW  LS3N191 Features: Continuous Power Dissipation (one side) 525mW  MAXIMUM CURRENT ƒ Very high Input Impedance Drain to Source2  50mA  ƒ High Gate Breakdown Voltage MAXIMUM VOLTAGES  ƒ Low Capacitance Drain to Gate or Drain to Source2  ‐30V  Transient Gate to Source2,3 ±125V  Gate‐Gate Voltage  ±80V  LS3N191 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVDSS  Drain to Source Breakdown Voltage  ‐40  ‐‐  ‐‐    ID = ‐10µA    BVSDS  Source to Drain Breakdown Voltage  ‐40  ‐‐  ‐‐  IS = ‐10µA,   VBD = 0V  V  VGS  Gate to Source Voltage  ‐3.0  ‐‐  ‐6.5  VDS = ‐15V,   ID = ‐500µA  VGS(th)  Gate to Source Threshold Voltage  ‐2.0  ‐‐  ‐5.0  VDS = ‐15V,   ID = ‐500µA  ‐2.0  ‐‐  ‐5.0  VDS =  VGS ,   ID = ‐10µA  IGSSR  Gate Reverse Leakage Current  ‐‐  ‐‐  10    VGS = 40V    IGSSF  Forward Gate Leakage Current  ‐‐  ‐‐  ‐10  ...