LS4352

LS4352 N-CHANNEL MOSFET The LS4352 is an enhancement mode N-Channel Mosfet The LS4352 is an enhancement mode N-Channel Mosfet designed for use as a General Purpose amplifier or switch The hermetically sealed TO-72 package is well suited for high reliability and harsh environment applications. (See Packaging Information). FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 2N4352  HIGH DRAIN CURRENT  HIGH GAIN  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS   @ 25°C (unless otherwise noted)  ID = 100mA   gfS = 1000µS  Maximum Temperatures  Storage Temperature  Operating Junction Temperature  LS4352 Features: Maximum Power Dissipation  Continuous Power Dissipation   ƒ Low ON Resistance MAXIMUM CURRENT ƒ Low Capacitance Drain to Source (Note 1)  ƒ High Gain MAXIMUM VOLTAGES  ƒ High Gate Breakdown Voltage Drain to Body  ƒ Low Threshold Voltage Drain to Source  Peak Gate to Source (Note 2)  LS4352 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  BVDSS  Drain to Source Breakdown Voltage  25  ‐‐  ‐‐    V  VDS(on)  Drain to Source “On” Voltage  ‐‐  ‐‐  1  VGS(th)  Gate to Source Threshold Voltage  1  ‐‐  5  IGSS  Gate Leakage Current  ‐‐  ‐‐  10  pA  IDSS  Drain Leakage Current “Off”  ‐‐  ‐‐  10  nA  ID(on)  Drain Current “On”  3  ‐‐  ‐‐  mA  gfs  Forward Transconductance  1000  ‐‐  ‐‐  µS  rDS(on)  Drain to Source “On” Resistance  ‐‐  ‐‐  300  Ω  ‐65°C to +200°C  ‐55°C to +150°C  375mW  100mA  25V  25V  ±125V  CONDITIONS  ID = 10µA,   VGS = 0V            ...