LS831

LS831 MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET Linear Systems Ultra Low Leakage Low Drift Monolithic Dual JFET The LS831 is a high-performance monolithic dual JFET featuring extremely low noise, tight offset voltage and low drift over temperature specifications, and is targeted for use in a wide range of precision instrumentation applications. The LS831 features a 25mV offset and 10-µV/°C drift. The 8 Pin P-DIP and 8 Pin SOIC provide ease of manufacturing, and the symmetrical pinout prevents improper orientation. (See Packaging Information). FEATURES  ULTRA LOW DRIFT  | V GS1‐2 / T| ≤10µV/°C  ULTRA LOW LEAKAGE  IG = 80fA TYP.  LOW NOISE  en = 70nV/√Hz TYP.  LOW CAPACITANCE  CISS = 3pF MAX.  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐65°C to +150°C  Operating Junction Temperature  +150°C  Maximum Voltage and Current for Each Transistor – Note 1  ‐VGSS  Gate Voltage to Drain or Source  40V  ‐VDSO  Drain to Source Voltage  40V  ‐IG(f)  Gate Forward Current  10mA  ‐IG  Gate Reverse Current  10µA  Maximum Power Dissipation  Device Dissipation @ Free Air – Total                 400mW @ +125°C    MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED SYMBOL  CHARACTERISTICS  VALUE  UNITS  CONDITIONS  | V GS1‐2 / T| max.  DRIFT VS.  10  µV/°C  VDG=10V, ID=30µA  TEMPERATURE  TA=‐55°C to +125°C  | V GS1‐2 | max.  OFFSET VOLTAGE  25  mV  VDG=10V, ID=30µA  TYP.  60  ‐‐    300  100  0.6    ‐‐  1    2  ‐‐    ‐‐  ‐‐  ‐‐  5  1    ‐‐  ‐‐    90...