LSJ109

LSJ109 N-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix J109 This n-channel JFET is optimised for low noise high performance switching. The part is particularly suitable for use in low noise audio amplifiers. The SOT-23 package is well suited for cost sensitive applications and mass production. (See Packaging Information). FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J109  LOW ON RESISTANCE  rDS(on) ≤ 12Ω  FAST SWITCHING  t(on) ≤ 4ns  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  LSJ109 Benefits: Operating Junction Temperature  ‐55°C to +150°C  ƒ Low On Resistance Maximum Power Dissipation  ƒ Low insertion loss Continuous Power Dissipation   350mW  ƒ Low Noise MAXIMUM CURRENT LSJ109 Applications: Gate Current (Note 1)  50mA  ƒ Analog Switches MAXIMUM VOLTAGES  ƒ Commutators Gate to Drain Voltage  VGDS = ‐25V  ƒ Choppers Gate to Source Voltage  VGSS = ‐25V      LSJ109 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐25  ‐‐  ‐‐    IG = 1µA,   VDS = 0V    VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐2  ‐‐  ‐6  VDS = 5V, ID = 1µA  V  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  ‐‐  0.7  ‐‐  IG = 1mA,   VDS = 0V  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  40  ‐‐  ‐‐  mA  VDS = 15V, VGS = 0V  IGSS  Gate Reverse Current  ‐‐  ‐0.01  ‐3    VGS = ‐15V,  VDS = 0V  nA  IG  Gate Operating Current...