SST113

SST113 N-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix SST113 This n-channel JFET is optimised for low noise high performance switching. The part is particularly suitable for use in low noise audio amplifiers. The SOT-23 package is well suited for cost sensitive applications and mass production. (See Packaging Information). FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SST113  LOW GATE LEAKAGE CURRENT  5pA  FAST SWITCHING  t(on) ≤ 4ns  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  SST113 Benefits: Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  ƒ Short Sample & Hold Aperture Time Maximum Power Dissipation  ƒ Low insertion loss Continuous Power Dissipation   350mW  ƒ Low Noise MAXIMUM CURRENT SST113 Applications: Gate Current (Note 1)  50mA  ƒ Analog Switches MAXIMUM VOLTAGES  ƒ Commutators Gate to Drain Voltage  VGDS = ‐35V  ƒ Choppers Gate to Source Voltage  VGSS = ‐35V      SST113 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐35  ‐‐  ‐‐    IG = 1µA,   VDS = 0V    VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐‐  ‐‐  ‐3  VDS = 5V, ID = 1µA  V  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  ‐‐  0.7  ‐‐  IG = 1mA,   VDS = 0V  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  2  ‐‐  ‐‐  mA  VDS = 15V, VGS = 0V  IGSS  Gate Reverse Current  ‐‐  ‐0.005  ‐1  nA  VGS = ‐15V,  VDS = 0V  IG  Gate Op...