N-Channel MOSFET
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
N-Channel MOSFET
HFR1N60
¨€ APPLICATIONSL
TO-92
high-Speed Switching.
www...
Description
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
N-Channel MOSFET
HFR1N60
¨€ APPLICATIONSL
TO-92
high-Speed Switching.
www.DataSheet4U.net
¨€ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨ Ta=25¡æ£©
T stg ¡ ª ¡ ªStorage Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡- 55~150¡æ Tj PD
¡ª¡ªOperating ¡ª¡ª
Junction Temperature ¡-¡-¡-¡-¡-¡¡-¡¡-¡150¡æ
1¨D G 2¨D D 3¨D S
Allowable Power Dissipation£¨ T c=25¡æ £© ¡-¡¡-¡-¡-¡-¡1W Drain-Source Voltage ¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡600V Gate-Source Voltage ¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡± 30V
VDSS VGSS
¡ª¡ª ¡ª¡ª
ID ¡ª¡ª Drain Current £¨ T c=25¡æ £© ¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡¡¡¡-¡¡-¡¡0.4A IDM ¡ª¡ª Drain Current £¨ Pulsed£ © ¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡1.6A
¨€ ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨ Ta=25¡æ£©
Symbol Characteristics Min Typ Max Unit Test Conditions
BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) gFS Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd Is VSD
Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate – Source Leakage Current Gate Threshold Voltage Static Drain-Source On-Resistance Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn - On Delay Time Rise Time
Turn - Off Delay Time
600 50 2.0 9.3 0.75 130 19 3.5 7 21 13 27 4.8 0.7 2.7 0.3 1.4 140 170 25 6 24 52 36 64 6.2 ¡À 100 4.0 11.5
V ID=250¦Ì A ,VGS=0V ¦Ì A VDS =600V£¬ VGS=0 nA V ? S pF pF pF nS nS nS nS
nC nC nC
VGS=¡À 30V , VDS =0V VDS = VGS , ID =250¦Ì A VGS=10V, ID =0.2A VDS = 40V , ID =0.3A* VDS =25V, VGS=0,f=1MHz
VDD =300V,ID =1.1A RG= 25 ¦¸ *
Fall Time
Total Gate Charge Gate– S...
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