KT817B

www.DataSheet4U.net КТ817 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы Прототип КТ817Б – BD233 Прототип КТ817В – BD235 Прототип КТ817Г – BD237 Особенности Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 150°C Комплиментарная пара – КТ816 КТ-27 Обозначение технических условий аАО. 336.187 ТУ / 02 Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817А, Б, В, Г пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) – КТ817А9, Б9, В9, Г9 КТ-89 Назначение выводов Вывод (корпус КТ-27) №1 №2 №3 Назначение (корпус КТ-27) Эмиттер Коллектор База Вывод (корпус КТ-89) №1 №2 №3 Назначение (корпус КТ-89) База Коллектор Эмиттер КТ817 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 www.DataSheet4U.net Таблица 1. Основные электрические параметры КТ817 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение коллектор-эмиттер КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Обозначение Uкэо гp. Ед. изм. B Режимы измеpения Iэ=0,1A, tи=0,3 - 1 мс 25 45 60 80 Iкбо мкА Uкэ=40 В Uкэ=45 В Uкэ=60 В Uкэ=100 В Iкэr мкА Uкэ=40 В, Rбэ≤ 1 кОм Uкэ=45 В, Rбэ≤ 1 кОм Uкэ=60 В, Rбэ≤ 1 кОм Uк...