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MOSFET. FTP08N50 Datasheet

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MOSFET. FTP08N50 Datasheet






FTP08N50 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent




FTP08N50 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent





Part

FTP08N50

Description

MOSFET



Feature


www.DataSheet.co.kr FTP08N50/FTA08N50 5 00V N MOS ¾ ¾ ¾ ¾ ¾ (33nC) 10 0% RoHS/ BVDSS 500V RDS(ON) (Max.) 0. 9Ω ID 8.0A ¾ ¾ ¾ ¾ / FTP 08N50 FTA08N50 TO-220 TO-220F FTP08 N50 FTA08N50 ,TC=25℃ VDSS ID ID@ 100℃ IDM PD VGS EAS dv/dt TL TJ TSTG [1] - (TC=25℃) (TC=100℃) [2] (TC=25℃) (TC﹥25℃) - L=7mH, ID=8.0A dv/dt[3] (1.6mm,10) FTP08N50 500 8.0 FTA08.
Manufacture

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ARK FTP08N50

FTP08N50; N50 8.0* V A Figure 3 Figure 6 125 1. 0 ±30 220 4.5 300 31 0.25 W W/℃ V m J V/ns ℃ -55 to 150 *。 :“” 。 RθJC RθJA - - FTP08N50 1.0 60 FTA08N50 4.0 60 ℃/W www.ark-mi cro.com 1/11 2009.03 Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/ www.Dat aSheet.co.kr FTP08N50/FTA08N50 BVDS S △BVDSS/△TJ IDSS IGSS - 500 --- --- -0.6 ---- --12 100 100 -100 µA ,TC=25℃.


ARK FTP08N50

V V/℃ VGS=0V, ID=250µA 25℃, ID =250µA VDS=500V, VGS=0V VDS=400V, VGS= 0V, TC=125℃ VGS=+30V VGS=-30V - nA RDS(ON) VGS(TH) gfs - -2.0 - 0.7 5 -7.9 0.9 4.0 -- , TC=25℃ Ω V S VGS=10V, ID=4.8A[4] VDS = VGS, ID =250µA VDS =15V, ID=8.0A[4] CISS C OSS CRSS QG QGS QGD - -() --- --- 1110 101 21 33 3.2 12.5 ------nC p F VGS=0V VDS=25V f=1.0MHZ Figure 1.


ARK FTP08N50

4 VDD=250V ID=8.0A Figure 15 td(ON) t rise td(OFF) tfall ---- 31 72 74 51 ---- VDD=250V ID=8.0A VGS=10V R G=20Ω ns www.ark-micro.com 2/11 2009.03 Datasheet pdf - http://www.Dat aSheet4U.net/ www.DataSheet.co.kr FTP 08N50/FTA08N50 ISD ISM VSD trr Qrr ----- ---320 1980 8.0 32 1.2 -- TC=25℃ A A V ns nC Integral P-N diode in MOSFET IS=8.0A.

Part

FTP08N50

Description

MOSFET



Feature


www.DataSheet.co.kr FTP08N50/FTA08N50 5 00V N MOS ¾ ¾ ¾ ¾ ¾ (33nC) 10 0% RoHS/ BVDSS 500V RDS(ON) (Max.) 0. 9Ω ID 8.0A ¾ ¾ ¾ ¾ / FTP 08N50 FTA08N50 TO-220 TO-220F FTP08 N50 FTA08N50 ,TC=25℃ VDSS ID ID@ 100℃ IDM PD VGS EAS dv/dt TL TJ TSTG [1] - (TC=25℃) (TC=100℃) [2] (TC=25℃) (TC﹥25℃) - L=7mH, ID=8.0A dv/dt[3] (1.6mm,10) FTP08N50 500 8.0 FTA08.
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 FTP08N50
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500V N 沟道 MOS 场效应管
产品名称
¾ 低的导通电阻
¾ 低的栅极电荷(典型值为33nC)
¾ 开关速度快
¾ 100%雪崩测试
¾ 符合RoHS标准/无铅封装
FTP08N50/FTA08N50
BVDSS
500V
RDS(ON) (Max.)
0.9
ID
8.0A
产品应用
¾ 高效率开关电源
¾ 适配器/充电器
¾ 有源功率因数校正
¾ 液晶面板电源
订购代码
器件名称
FTP08N50
FTA08N50
封装形式
TO-220
TO-220F
标识
FTP08N50
FTA08N50
极限值
除非另有说明,均指TC=25
符号
VDSS
ID
ID@100
IDM
PD
VGS
参数描述
漏极-源极电压[1]
漏极电流连续值(TC=25
漏极电流连续值(TC=100
漏极电流脉冲值[2]
功耗(TC=25
功耗减额因子(TC25
栅极-源极电压
FTP08N50
FTA08N50
500
8.0 8.0*
Figure 3
Figure 6
125 31
1.0 0.25
±30
EAS
dv/dt
TL
单脉冲雪崩能量 L=7mH, ID=8.0A
二极管反向恢复dv/dt尖峰值[3]
焊接温度
(距离管壳1.6mm处,10)
220
4.5
300
TJ TSTG 结温和储存温度
-55 to 150
*漏极电流受最高结温的限制。
注意:施加的电的或热的应力大于“极限值”表中所列参数值,可能导致器件永久的损坏。
热特性
单位
V
A
W
W/
V
mJ
V/ns
符号
RθJC
RθJA
-管壳热阻
-环境热阻
参数描述
FTP08N50
1.0
60
FTA08N50
4.0
60
单位
/W
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 FTP08N50
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电特性
关断特性
符号
BVDSS
BVDSS/TJ
参数描述
漏极-源极击穿电压
击穿电压温度系数
IDSS 漏极-源极泄漏电流
IGSS 栅极-源极泄漏电流
导通特性
符号
参数描述
RDS(ON) 漏极-源极导通电阻
VGS(TH)
gfs
栅极阈值电压
正向跨导
动态特性
符号
参数描述
CISS
COSS
CRSS
QG
QGS
QGD
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极总电荷
栅极-源极电荷
栅极-漏极(密勒)电荷
开关特性
符号
参数描述
td(ON)
trise
td(OFF)
tfall
开启延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
FTP08N50/FTA08N50
最小值
500
--
--
--
--
--
典型值
--
0.6
--
--
--
--
最大值
--
--
12
100
100
-100
除非另有说明,均指TC=25
单位
测试条件
V VGS=0V, ID=250µA
V/
25℃为参考,
ID=250µA
VDS=500V, VGS=0V
µA VDS=400V, VGS=0V,
TC=125
nA VGS=+30V
VGS=-30V
除非另有说明,均指TC=25
最小值 典型值 最大值 单位
测试条件
-- 0.75 0.9 VGS=10V, ID=4.8A[4]
2.0 -- 4.0 V VDS = VGS, ID=250µA
-- 7.9
-- S VDS =15V, ID=8.0A[4]
最小值
--
--
--
--
--
--
典型值
1110
101
21
33
3.2
12.5
最大值
--
--
--
--
--
--
基本上与工作温度无关
单位
测试条件
VGS=0V
pF
VDS=25V
f=1.0MHZ
Figure 14
VDD=250V
nC ID=8.0A
Figure 15
最小值
--
--
--
--
典型值
31
72
74
51
最大值
--
--
--
--
基本上与工作温度无关
单位
测试条件
VDD=250V
ns
ID=8.0A
VGS=10V
RG=20
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 FTP08N50
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体二极管特性
符号
参数描述
ISD 体二极管连续电流
ISM 体二 极 管最 大脉 冲 电流
VSD 体二极管正向压降
trr 反向恢复时间
Qrr 反向恢复电荷
FTP08N50/FTA08N50
最小值
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
320
1980
最大值
8.0
32
1.2
--
--
除非另有说明,均指TC=25
单位
测试条件
A Integral P-N diode in
A MOSFET
V IS=8.0A, VGS=0V
ns VGS=0V
nC IF=8.0 A,di/dt=100A/µs
注意:
[1] TJ=+25to +150
[2] 重复性极限值,脉冲宽度受最高结温限制
[3] ISD=8.0A, di/dt100A/µs, VDDBVDSS, TJ=+150
[4] 脉冲宽度380µs; 占空比2%.
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