198NT2

СВЕДЕНИЯ О ПРИЕМКЕ Микросхемы интегральные 198НТ2АТВК, 198НТ2БТВК, 198НТ2АТ1ВК, 198НТ2БТ1ВК соответствуют техническим условиям АЕЯР.431410.245 ТУ; ОСМ198НТ2АТ1ВК, ОСМ198НТ2БТ1ВК соответствуют техническим условиям АЕЯР.431410.245 ТУ и ПО.070.052 и признаны годными для эксплуатации. Приняты по извещению №_________от_________ Дата ( МИКРОСХЕМЫ 198НТ2АТВК, 198НТ2БТВК, 198НТ2АТ1ВК, 198НТ2БТ1ВК, ОСМ198НТ2АТ1ВК, ОСМ198НТ2БТ1ВК 6331328295 – 198НТ2БТВК 6331328305 – 198НТ2БТ1ВК, ОСМ198НТ2БТ1ВК Код ОКП : 6331328255 – 198НТ2АТВК 6331328265 - 198НТ2АТ1ВК, ОСМ198НТ2АТ1ВК Штамп ОТК Штамп представителя заказчика ЭТИКЕТКА САРЛ.431130.030 ЭТ2 Микросхемы интегральные 198НТ2АТВК, 198НТ2БТВК, 198НТ2АТ1ВК, 198НТ2БТ1ВК, ОСМ198НТ2АТ1ВК, ОСМ198НТ2БТ1ВК – матрица транзисторов NPN типа. Схема расположения выводов Перепроверка произведена__________________ Дата Приняты по извещению №_________от_________ Дата www.DataSheet.co.kr Штамп ОТК Штамп представителя заказчика Нумерация выводов показана условно. Ключ показывает начало отсчета выводов. Масса не более 0,8 г. Схема электрическая принципиальная 12 1 4 VТ1 VТ2 VТ3 VТ5 УКАЗАНИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ «ВНИМАНИЕ-Соблюдайте меры предосторожности при работе – ПРИБОРЫ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ К СТАТИЧЕСКОМУ ЭЛЕКТРИЧЕСТВУ». Допустимое значение статического потенциала 200 В. 13 14 10 11 2 3 5 6 Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/ ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ при температуре ( 25±5 ) °C Наименование параметра, Букединица измерения, венрежи...