2N5302

2N5302 High−Power NPN Silicon Transistor High−power NPN silicon transistors are for use in power amplifier and switching circuits applications. Features http://onsemi.com Low Collector−Emitter Saturation Voltage − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS (Note 1) (TJ = 25°C unless otherwise noted) Rating Symbol VCEO VCB IC IB Value 60 60 30 Collector−Emitter Voltage Collector−Base Voltage Unit Vdc Vdc Adc Adc Collector Current − Continuous (Note 2) Base Current Total Device Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 7.5 PD 200 1.14 W W/_C _C TJ, Tstg – 65 to + 200 VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc Pb−Free Package is Available* 30 AMPERES POWER TRANSISTOR NPN SILICON 60 VOLTS, 200 WATTS THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol qJC qCA Max Unit TO−204AA (TO−3) CASE 1−07 STYLE 1 Thermal Resistance, Junction−to−Case Thermal Resistance, Case−to−Ambient 0.875 34 _C/W _C/W Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implie...