2N6437

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by 2N6437/D High-Power PNP Silicon Transistors . . . designed for use in industrial–military power amplifier and switching circuit applications. High Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6437 VCEO(sus) = 120 Vdc (Min) — 2N6438 High DC Current Gain — hFE = 20–80 @IC = 10 Adc hFE = 12 (Min) @ IC = 25 Adc Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc Fast Switching Times @ IC = 10 Adc tr = 0.3 µs (Max) ts = 1.0 µs (Max) tf = 0.25 µs (Max) Complement to NPN 2N6339 thru 2N6341 MAXIMUM RATINGS (1) Rating Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage 2N6437 2N6438* *Motorola Preferred Device 25 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 100, 120 VOLTS 200 WATTS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Symbol VCB VCEO VEB IC IB PD 2N6437 120 100 2N6438 140 120 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector–Emitter Voltage 6.0 25 50 10 Collector Current — Continuous Peak Base Current Total Device Dissipation @ TC...