2N3055

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by 2N3055/D Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general–purpose switching and amplifier applications. DC Current Gain — hFE = 20 – 70 @ IC = 4 Adc Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc Excellent Safe Operating Area 2N3055 * PNP MJ2955 * *Motorola Preferred Device NPN ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCER VCB VEB IC IB Value 60 70 Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector–Emitter Voltage Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage 100 7 Collector Current — Continuous Base Current 15 7 Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C PD 115 0.657 Watts W/_C Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg – 65 to + 200 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS CASE 1–07 TO–204AA (TO–3) _C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol RθJC Max Unit Thermal Resistance, Junction to Case 1.52 _C/W 160 PD, POWER DISSIPATION (WATTS) 140 ...