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HK1235. HK1235 Datasheet

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HK1235 HK1235. Datasheet pdf. Equivalent




HK1235 HK1235. Datasheet pdf. Equivalent





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HK1235

Description

HK1235



Feature


HK1235 . PIN PIN A14 A1 A A A A A A A A DQ DQ DQ GN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 Vcc WE A13 A8 A9 A11 OE A10 CE DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 DQ3 A0-A14 -Address input CE -Chip Enable(Low En able) GND -Ground DQ0-Data In/Out Vcc -Power (+5V) WE -WriteEnable(Low Ena ble) OE -Output Enable (Low Enable NC -No Connect . HK1235 WE.
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ETC HK1235

HK1235; ()(high) CE ()(Low) OE ) ( Low ) 。 15 ( A0-A14 。 8 tACC 。 、 ,HK1235 WE CE () 。 CE WE , CE WE 。 , WE (tWR) . OE () , , (CE OE ) , tODW 。 HK1235 Vcc , VCC 4.5 4.75 , 4.35 4.75 。 Vcc , 。 HK1235 Vcc 。,RAM ,。 Vcc 。 RAM “” 3 .0 , RAM 。 Vcc , Vcc 3.0 , RAM 。 RAM Vcc 4.5 4.75 。 、 HK1235 。 1.5G 。 Free Datasheet http://www.dat.


ETC HK1235

asheet.in/ 、 1 , 1 。 , 。 。 、 ① -0.3~5.0V -40℃~70 200 ℃ 5 0 ℃~55℃ 0℃ ~70 ℃ -40℃~70℃ : ② (0℃to70℃) SYM BOL Vcc Vcc VIH VIL SYMBOL IIL IIO IOH IOL ICCS1 ICCS2 ICCO1 VTP VTP MIN 4.5 4 .75 2.2 0.0 MIN -5.0 -5.0 -1.0 2.0 — — — 4.25 4.5 TYP 5.0 5.0 — — TY P — — — — 5.0 3.0 5 4.37 4.75 M AX 5.5 5.5 Vcc +0.8 MAX ﹢5.0 ﹢5.0 — — 10.0 5.0 85 4.5 4.85 UNITS V V V V UNITS.


ETC HK1235

mA mA mA mA mA mA mA V V PARAMETER Pow er Supply Voltage 1(HK1235) Power S upply Voltage 1(HK1235N) Logic1 Log ic0 ③ PARAMETER Input Leakage Curren t I/O Leakage Current CE ≤VIH≤Vcc O utput Current @2.4V Output Current @0.4 V Standby Current CE=2.2V Standby Curre nt CE=Vcc-0.5V Operating Current Write Protection Voltage 1(HK1235) Write Protection Voltage 2(HK1235N) (0 ℃t.

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HK1235

Description

HK1235



Feature


HK1235 . PIN PIN A14 A1 A A A A A A A A DQ DQ DQ GN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 Vcc WE A13 A8 A9 A11 OE A10 CE DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 DQ3 A0-A14 -Address input CE -Chip Enable(Low En able) GND -Ground DQ0-Data In/Out Vcc -Power (+5V) WE -WriteEnable(Low Ena ble) OE -Output Enable (Low Enable NC -No Connect . HK1235 WE.
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 HK1235
HK1235 使用说明书
一. 引脚 排列
PIN 排列
A14 1
A1 2
28
27
A3
26
A4
25
A5
24
A6
23
A7
22
A8
21
A9
20
A 10
19
DQ 11
18
DQ 12
17
DQ 13
16
GN 14
15
Vcc
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
PIN 描述
A0-A14 -Address input
CE -Chip EnableLow Enable
GND -Ground
DQ0- -Data In/Out
Vcc -Power (+5V)
WE -WriteEnableLowEnable
OE -OutputEnableLowEnable
NC -No Connect
二. 读取 模式
HK1235 WE(写使能)被禁止(high)且 CE(片选)被选中(Low)并
OE(读信号)被使能(Low)执行一次读循环。15 个地址输入线(A0-A14
指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后 8 位数据输出驱动
器将在 tACC 时序内得到有效数据。
三、写模式
地址输入稳定后,HK1235 WE CE 信号处于激活(低电平)状态为
写 模式。最后出现的 CE WE 下降沿将决定写循环的开始,写循环
终止于 CE WE 前边的上升边沿。在写循环内所有地址输入必须保持
有效。在下 一个循环能被初始化前,WE 写信号必须将高电平保持最少记
录时间(tWR. 写循环期间 OE 控制信号应当保持失效(高电平),避免总线
冲突,如果输 出总线已经有效(CE OE 激活),则写信号可以在 tODW
时序内从下降边 沿开始禁止输出。
四、数据保存模式
HK1235 Vcc 提供全部功能,当 VCC 大于 4.5 伏或 4.75 ,写保护为
4.35
伏或 4.75 伏。当 Vcc 掉电时保存数 据,没有 任何附加 支持电 路的
需 要。 HK1235 通常监视 Vcc。如果电源电压降低,RAM 自动写保护
其本身。所 有对 RAM 的输入变为不接收,所有输出为高电阻。当 Vcc
降低到大约3.0 伏时,电源转换电路将用锂电源向 RAM 供电保存数据。
电压升高时, 当 Vcc 升高到大约 3.0 伏时,电压转换电路将外部 Vcc
RAM 连接。正常 RAM 操作在 Vcc 超过 4.5 伏或 4.75 伏后能够重
新开始。
五、出厂状态及运输
HK1235 从半导体出厂均保证满电量。运输及使用中的重力加速度不应 超出 1.5G
则影响寿命。
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 HK1235
六、验收及服务
本产品验收期为 1 个月即自客户得到本产品后对以下各项性能指标进
行验 收,如果异议应在 1 个月内提出更换或退货。质量保证期即服务期
为一年, 如产品在一年内非使用问题而产生的产品质量问题并且未经
使用损坏的经 我公司检验认可可以给予更换。我公司拥有对以上条款的
最终解释权。
七、各项指标
① 最大范围
各脚对地电压
-0.3~5.0V
储存温度
-40~70
焊接温度
200℃不能超过 5
操作温度
0~55℃ 准工业级 0
~70℃ 工业级-40~70
注:长期暴露在工作在以上最大范围下将影响使用周期
②推荐操作条件
PARAMETER
(0to70)
SYMBOL MIN TYP MAX
UNITS
Power Supply Voltage 1HK1235
Vcc 4.5 5.0 5.5 V
Power Supply Voltage 1HK1235N
Logic1
Logic0
Vcc
VIH
VIL
4.75 5.0 5.5 V
2.2 Vcc V
0.0 +0.8 V
③直流特性
(0to70;Vcc=5V±10%)
PARAMETER
SYMBOL MIN TYP MAX UNITS
Input Leakage Current
I/O Leakage Current
CEVIHVcc
Output Current @2.4V
Output Current @0.4V
Standby Current CE=2.2V
Standby Current CE=Vcc-0.5V
Operating Current
Write Protection Voltage 1HK1235
Write Protection Voltage 2HK1235N
IIL
IIO
IOH
IOL
ICCS1
ICCS2
ICCO1
VTP
VTP
-5.0 5.0
-5.0 5.0
-1.0
2.0
4.25
4.5
5.0
3.0
5
4.37
4.75
10.0
5.0
85
4.5
4.85
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
④读写电特性
PARAMETER
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
OE to Output Valid
OE or CE Output Active
Output High Z from Dissection
Output Hold from dress Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Output High Z from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
⑤建议电源上下电时间
SYM
tRC
tACC
tOE
tCO
tCOE
tOD
tOH
tWC
tWP
tAW
tWR1
tWR2
tODW
tOEW
tDS
tDH1
tDH2
(0to70;Vcc=5V±10%)
HK1235-70 HK1235-85
MIN MAX MIN MAX
70 — 85 —
— 70 — 85
— 35 — 45
— 70 — 85
5— 5—
HK1235-100
MIN MAX
100 —
— 100
— 50
— 100
5—
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE
S
5
— 25 — 30 — 35 ns
5
5— 5—
5
— ns —
70 — 85 — 100
ns
55 — 65 — 75 — ns
3
0— 0—
0
— ns —
55
5
ns
15 15
15
— 25 — 30 — 35 ns
5— 5—
5
— ns
30 — 35 — 40 — ns
0
10
0
10
0
10
ns
5
5
4
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 HK1235
SYM
tPD
tF
tR
tREC
PARAMETER
CE at VIH before Power-Down
Vcc Slew from 4.5v to 0v(CE at VIH)
Vcc Slew from 0v to 4.5v(CE at VIH)
CE WE at VIH after Power-Up
(TA=25)
SYM PARAMETER
t DR Expected Data Retention Time
MIN
MIN MAX UNITS NOTE
10 —
µs
300 —
µs
0 20
µs
20 125
m
TYP MAX
10
UNITS NOTE
years 9,10
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