FS75R12KS4

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KS4 VorläufigeDaten PreliminaryData VCES  1200 75 100 150 500 +/-20 min. Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat VGEth QG RGint Cies Cres ICES IGES Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 4,5        typ. 3,20 3,85 5,5 0,80 5,0 5,10 0,32   0,12 0,13 0,05 0,06 0,31 0,36 0,02 0,03 max. 3,70 6,5     5,0 400  V V V µC Ω nF nF mA nA µs µs µs µs µs µs µs µs mJ mJ mJ mJ  V  A A IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage Tvj = 25°C TC = 70°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C tP = 1 ms TC = 25°C, Tvj max = 150  IC nom  IC ICRM Ptot VGES     A  W  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Ga...