KT815

КТ815 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы Прототип КТ815Б - BD135 Прототип КТ815В - BD137 Прототип КТ815Г - BD139 Особенности Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C Комплиментарная пара – КТ814 КТ-27 Обозначение технических условий аАО. 336.185 ТУ / 02 Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ815А, Б, В, Г пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ815А9, Б9, В9, Г9 КТ-89 Назначение выводов Вывод (корпус КТ-27) №1 №2 №3 Назначение (корпус КТ-27) Эмиттер Коллектор База Вывод (корпус КТ-89) №1 №2 №3 Назначение (корпус КТ-89) База Коллектор Эмиттер КТ815 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com Таблица 1. Основные электрические параметры КТ815 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение колл-эмит КТ815А, А9 КТ815Б, Б9 КТ815В, В9 КТ815Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ815А, А9, Б, Б9 КТ815В, В9, Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ815А, А9, Б, Б9 КТ815В, В9, Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока КТ815А, А9, Б, Б9, В, В9 КТ815Г, Г9 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Обозначение Uкэо гp. Ед. измеp B Режимы измеpения Iэ=50mA, tи=0,3 - 1 мс Min 30 45 65 85 50 50 100 100 40 30 275 275 0,6 Max Iкбо Iкэr мкА Uкэ=50 В Uкэ=65 В мкА Uкэ=50 В, Rбэ≤100 Ом Uкэ=65 В, Rбэ≤1...