Doc No. TD4-EA-01808 Revision. 1
MIP2F30MTSCF
/Type /Application /Structure
シリコン MOS/Silicon MOSFET type Integrated C...
Doc No. TD4-EA-01808 Revision. 1
MIP2F30MTSCF
/Type /Application /Structure
シリコン MOS/Silicon MOSFET type Integrated Circuit スイッチング/For Switching Power Supply Control CMOS/CMOS type /See Fig.6 マ ーク/マーキング/Marking MIP2F3
/Equivalent Circuit /Out Line
DIP7-A1-B
A./ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃±3℃) NO. /Item ドレイン DRAIN Voltage VCC VCC Voltage VDD VDD Voltage フィードバック FEEDBACK Voltage フィードバック FEEDBACK Current CL CL Voltage CL CL Current ピーク Output Peak Current チャネル Channel Temperature Storage Temperature / Symbol VD VCC VDD VFB IFB VCL ICL IDP Tch Tstg /Ratings / Unit V V V V μA V μA A ℃ ℃
オンブランキング +れ
/Note ※1: パルスでの とする (It is guaranteed within the pulse as below.)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
-0.3 ~ 700 -0.3 ~ 45 -0.3 ~ 8 -0.3 ~ 8 500 -0.3 ~ 8 150 1 (※1) 150 -55 ~ +150
Leading Edge Blanking Pulse + Current Limit Delay
ton(BLK)+td(OCL)
B./ELECTRICAL CHARACTERISTICS No. /Item / Symbol
/Measure condition (TC=25℃±2℃) /Measure Condition (-1 /See Figure 1) Typ. Limit Min Max Unit
【コントロール/CONTROL FUNCTIONS】 1 Output Frequency デューティサイクル Maximum Duty Cycle VDD VDD Voltage VDD UV Lockout Threshold Voltage fosc fosc(L) MAXDC VDD VUV
VCC=15 V, VD=5 V, IFB=20 μA, ICL=50 μA VCC=15 V, VD=5 V, IFB:OPEN, ICL
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