FS225R12KE3

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS225R12KE3 -EconoPACK™+ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode -EconoPACK™+withtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage Tvj = 25°C TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C tP = 1 ms TC = 25°C, Tvj max = 150  VCES  1200 225 325 450 1150 +/-20 min. Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat VGEth QG RGint Cies Cres ICES IGES Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 5,0        typ. 1,70 2,00 5,8 2,10 3,3 16,0 0,75   0,25 0,30 0,09 0,10 0,55 0,65 0,13 0,16 max. 2,15 6,5     5,0 400  V V V µC Ω nF nF mA nA µs µs µs µs µs µs µs µs mJ mJ mJ mJ  V  A A IC nom  IC ICRM Ptot VGES     A  W  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwir...