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SFH4250S Dataheets PDF



Part Number SFH4250S
Manufacturers OSRAM GmbH
Logo OSRAM GmbH
Description High Power Infrared Emitter
Datasheet SFH4250S DatasheetSFH4250S Datasheet (PDF)

2013-12-16 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.3 SFH 4250S Features: • Double Stack emitter • High Power Infrared LED • Short switching times • 2- fach Stack Emitter • Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung • Kurze Schaltzeiten Besondere Merkmale: Applications • • • • Infrared Illumination for cameras IR data transmission Sensor technology Automotive technology • • • • Anwendungen Infrarotbeleuchtung für Kameras I.

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2013-12-16 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.3 SFH 4250S Features: • Double Stack emitter • High Power Infrared LED • Short switching times • 2- fach Stack Emitter • Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung • Kurze Schaltzeiten Besondere Merkmale: Applications • • • • Infrared Illumination for cameras IR data transmission Sensor technology Automotive technology • • • • Anwendungen Infrarotbeleuchtung für Kameras IR Datenübertragung Sensorik Automobiltechnik Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC 62471. Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2013-12-16 1 Version 1.3 Ordering Information Bestellinformation Type: Typ: Radiant Intensity Strahlstärke IF=70 mA, tp=20 ms Ie [mW/sr] SFH 4250S Note: Anm.: SFH 4250S Ordering Code Bestellnummer 22 (≥ 12.5) Q65111A0128 Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Maximum Ratings (TA = 25 °C) Grenzwerte Parameter Bezeichnung Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage Sperrspannung Forward current Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (tp = 100 μs, D = 0) Total power dissipation Verlustleistung ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) Thermal resistance junction - ambient 1) page 12 Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 12 Symbol Symbol Top; Tstg VR IF IFSM Values Werte -40 ... 100 5 70 0.7 Unit Einheit °C V mA A Ptot VESD 245 2 mW kV RthJA 300 K/W 2) page 12 Thermal resistance junction - soldering point RthJS 140 K/W Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle 2) Seite 12 2013-12-16 2 Version 1.3 Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Bezeichnung Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge der Strahlung (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Half angle Halbwinkel Active chip area Aktive Chipfläche Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 70 mA, RL = 50 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Forward voltage Durchlassspannung (IF = 700 mA, tp = 100 μs) Reverse current Sperrstrom (VR = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (IF=70 mA, tp=20 ms) (typ) Symbol Symbol λpeak Values Werte 860 SFH 4250S Unit Einheit nm (typ) λcentroid 850 nm (typ) Δλ 30 nm (typ) (typ) (typ) (typ) ϕ A LxW tr, tf ± 60 0.09 0.3 x 0.3 15 ° mm2 mm x mm ns (typ (max)) VF 3 (≤ 3.5) V (typ (max)) VF 4 (≤ 5.2) V (typ (max)) IR not designed for µA reverse operation 70 mW (typ) Φe 2013-12-16 3 Version 1.3 Parameter Bezeichnung Temperature coefficient of Ie or Φe Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Grouping (TA = 25 °C) Gruppierung Group Gruppe Min Radiant Intensity Min Strahlstärke IF=70 mA, tp=20 ms Ie, min [mW / sr] SFH 4250S-R2 SFH 4250S-S SFH 4250S-T Note: Anm.: SFH 4250S Symbol Symbol (typ) TCI Values Werte -0.5 Unit Einheit %/K (typ) TCV -2 mV / K (typ) TCλ 0.3 nm / K Max Radiant Intensity Max Strahlstärke IF=70 mA, tp=20 ms Ie, max [mW / sr] 20 32 50 Typ Radiant Intensity Typ Strahlstärke IF = 700 mA, tp = 25 µs Ie, typ [mW / sr] 125 185 290 12.5 16 25 measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1). 2013-12-16 4 Version 1.3 Relative Spectral Emission 3) page 12 Relative spektrale Emission 3) Seite 12 Irel = f(λ), TA = 25°C 100 % 80 OHF04132 SFH 4250S Radiant Intensity 3) page 12 Strahlstärke 3) Seite 12 101 Ie / Ie(70 mA) = f(IF), single pulse, tp = 25 µs, TA = 25°C OHF05585 I rel Ι e (70 mA) 100 Ιe 60 10-1 40 10-2 20 0 700 750 800 850 nm 950 10-3 0 10 101 102 mA 103 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom IF, max = f(TA), RthJA = 300 K / W 80 mA 70 60 50 40 30 20 10 0 λ IF Forward Current 3) page 12 Durchlassstrom 3) Seite 12 103 mA IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C OHF04489 OHF05579 IF IF 102 5 101 5 0 20 40 60 .


HDSP-G503 SFH4250S MBR30H35PT


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