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2013-12-16
High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.3 SFH 4250S
Features:
• Double Stack emitter • High Power Infrared LED • Short switching times
• 2- fach Stack Emitter • Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung • Kurze Schaltzeiten
Besondere Merkmale:
Applications
• • • •
Infrared Illumination for cameras IR data transmission Sensor technology Automotive technology
• • • •
Anwendungen
Infrarotbeleuchtung für Kameras IR Datenübertragung Sensorik Automobiltechnik
Notes
Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden.
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Version 1.3
Ordering Information Bestellinformation Type: Typ: Radiant Intensity Strahlstärke IF=70 mA, tp=20 ms Ie [mW/sr] SFH 4250S
Note: Anm.:
SFH 4250S
Ordering Code Bestellnummer
22 (≥ 12.5)
Q65111A0128
Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Maximum Ratings (TA = 25 °C) Grenzwerte Parameter Bezeichnung Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage Sperrspannung Forward current Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (tp = 100 μs, D = 0) Total power dissipation Verlustleistung ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) Thermal resistance junction - ambient 1) page 12 Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
1) Seite 12
Symbol Symbol Top; Tstg VR IF IFSM
Values Werte -40 ... 100 5 70 0.7
Unit Einheit °C V mA A
Ptot VESD
245 2
mW kV
RthJA
300
K/W
2) page 12
Thermal resistance junction - soldering point
RthJS
140
K/W
Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle 2) Seite 12
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Version 1.3
Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Bezeichnung Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge der Strahlung (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Half angle Halbwinkel Active chip area Aktive Chipfläche Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 70 mA, RL = 50 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Forward voltage Durchlassspannung (IF = 700 mA, tp = 100 μs) Reverse current Sperrstrom (VR = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (IF=70 mA, tp=20 ms) (typ) Symbol Symbol λpeak Values Werte 860
SFH 4250S
Unit Einheit nm
(typ)
λcentroid
850
nm
(typ)
Δλ
30
nm
(typ) (typ) (typ) (typ)
ϕ A LxW tr, tf
± 60 0.09 0.3 x 0.3 15
° mm2 mm x mm ns
(typ (max)) VF
3 (≤ 3.5)
V
(typ (max)) VF
4 (≤ 5.2)
V
(typ (max)) IR
not designed for µA reverse operation 70 mW
(typ)
Φe
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Version 1.3
Parameter Bezeichnung Temperature coefficient of Ie or Φe Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Grouping (TA = 25 °C) Gruppierung Group Gruppe Min Radiant Intensity Min Strahlstärke IF=70 mA, tp=20 ms Ie, min [mW / sr] SFH 4250S-R2 SFH 4250S-S SFH 4250S-T
Note: Anm.:
SFH 4250S
Symbol Symbol (typ) TCI Values Werte -0.5 Unit Einheit %/K
(typ)
TCV
-2
mV / K
(typ)
TCλ
0.3
nm / K
Max Radiant Intensity Max Strahlstärke IF=70 mA, tp=20 ms Ie, max [mW / sr] 20 32 50
Typ Radiant Intensity Typ Strahlstärke IF = 700 mA, tp = 25 µs Ie, typ [mW / sr] 125 185 290
12.5 16 25
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1).
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Version 1.3
Relative Spectral Emission 3) page 12 Relative spektrale Emission 3) Seite 12
Irel = f(λ), TA = 25°C
100 % 80
OHF04132
SFH 4250S
Radiant Intensity 3) page 12 Strahlstärke 3) Seite 12
101
Ie / Ie(70 mA) = f(IF), single pulse, tp = 25 µs, TA = 25°C
OHF05585
I rel
Ι e (70 mA)
100
Ιe
60
10-1
40
10-2
20
0 700
750
800
850
nm 950
10-3 0 10
101
102
mA 103
Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom IF, max = f(TA), RthJA = 300 K / W
80 mA 70 60 50 40 30 20 10 0
λ
IF
Forward Current 3) page 12 Durchlassstrom 3) Seite 12
103 mA
IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C
OHF04489
OHF05579
IF
IF
102 5
101 5
0
20
40
60
.