DatasheetsPDF.com

KT816 Dataheets PDF



Part Number KT816
Manufacturers Integral
Logo Integral
Description PNP Transistor
Datasheet KT816 DatasheetKT816 Datasheet (PDF)

КТ816 p-n-p кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • Прототип КТ816Б – BD234 • Прототип КТ816В – BD236 • Прототип КТ816Г – BD238 Особенности • Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 150°C • Комплиментарная пара – КТ817 Обозначение технических условий • аАО. 336.186 ТУ / 02 Кор.

  KT816   KT816



Document
КТ816 p-n-p кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • Прототип КТ816Б – BD234 • Прототип КТ816В – BD236 • Прототип КТ816Г – BD238 Особенности • Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 150°C • Комплиментарная пара – КТ817 Обозначение технических условий • аАО. 336.186 ТУ / 02 Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ816А, Б, В, Г • пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ816А9, Б9, В9, Г9 Назначение выводов Вывод (корпус КТ-27) №1 №2 №3 Назначение (корпус КТ-27) Эмиттер Коллектор База Вывод (корпус КТ-89) №1 №2 №3 КТ-27 КТ-89 Назначение (корпус КТ-89) База Коллектор Эмиттер КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ816 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение колл-эмит КТ816А, А9 КТ816Б, Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ816А, А9 КТ816Б, Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ816А, А9 КТ816Б, Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Обозначение Uкэо гp. Iкбо Iкэr h21э Uкэ нас Ед. изм. Режимы измеpения Min B Iэ=0,1A, tи=0,3÷1 мс 25 45 60 80 мкА Uкэ=40 В - Uкэ=45 В - Uкэ=60 В - Uкэ=100 В - мкА Uкэ=40 В, Rбэ≤ 1 кОм - Uкэ=45 В, Rбэ≤ 1 кОм Uкэ=60 В, Rбэ≤ 1 кОм Uкэ=100В, Rбэ≤ 1 кОм - Uкб=2 B, Iэ=1A 25 В Iк=1 A, Iб=0,1A - Max - 100 100 100 100 200 200 200 200 275 0,6 Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ816 Параметры Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб ≤ 1кОм) КТ816А, А9 КТ816Б, Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора Максимально допустимый постоянный ток базы Рассеиваемая мощность коллектора Температура перехода Обозначение Uкэ max Uэб max Iк max Iки max Iб max Pк max Tпер Единица измер. В В А А А Вт °C Значение 40 45 60 100 5 3 6 1 25 150 КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0) 2 ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие. ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик изделий без предварительного уведомления. Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является ближайшим или функциональным аналогом. Контактная информация предприятия доступна на сайте: http://www.integral.by КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0) 3 .


A1350 KT816 KT816A


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)